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硅片已死……分立功率器件快将消失

分类: 技术文章
硅片已死……分立功率器件快将消失

在超过四十年中,随着功率MOSFET器件的结构、技术和电路拓扑的创新,可满足不断增长的电力需求,因此改善了电源管理的效率和成本。 然而,在这新世纪的发展,随着硅功率MOSFET器件已经接近其理论极限,其改进速度已大为减慢。 与此同时,一种全新材料 - 氮化镓(GaN)- 正朝着新的理论性能领域的方向,稳步发展,其性能是老化的MOSFET器件的6,000倍,以及是目前市场的最优越GaN器件的300倍。

EETimes
2020年6月
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