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EPC和Microchip公司携手开发用于高功率密度计算应用和数据中心的 300 W、1/16砖式48 V/12 V DC/DC转换器演示板

分类: 新闻稿
EPC和Microchip公司携手开发用于高功率密度计算应用和数据中心的 300 W、1/16砖式48 V/12 V DC/DC转换器演示板

美国微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的数字信号控制器(DSC)与宜普电源转换公司(EPC)的超高效氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的结合,可实现最佳功率密度(730 W/in3),从而实现高效、低成本的DC-DC转换。

EPC公司宣布推出1/16砖式、300 W DC/DC稳压器(EPC9143)。 EPC9143功率模块把Microchip dsPIC33CK数字信号控制器(DSC)和最新一代eGaN FET(EPC2053)集成在一起,实现25 A、48 V/12 V和96%效率的功率转换。

500 kHz开关频率在非常小的1/16砖式转换器实现300 W功率,其尺寸仅为33 毫米 x 22.9 毫米(1.3 x 0.9英寸)。

可扩展的两相设计可以增加相数,从而进一步提高功率。 由于Microchip数字控制器具有高灵活性,因此允许在8 V至72 V范围内调节输入电压,而输出电压在3.3 V至25 V范围内。

砖式DC/DC转换器广泛用于数据中心、电信和汽车应用,可将48 V标称电压转换为12 V配电总线输出电压。 鉴于给定的外形尺寸,业界的主要趋势是朝着需要更高的功率密度方向发展。 其中一个主要应用,是高密度48V/12V负载点(POL)转换器,需要12V输出的稳压功率,例如用于通用PCIe卡和存储。

eGaN®FET和集成电路具备快速开关、小尺寸和低成本等优势,能够以少元件数量和低成本满足这些前沿应用对功率密度的严格要求。

EPC首席执行官Alex Lidow表示:“先进的计算应用对功率转换器的要求越来越高,但硅基功率转换器在性能方面未能满足这些要求。我们很高兴与这个领域的全球领先供应商Microchip公司合作,为客户提供灵活的解决方案,从而为48 V转换提高效率、增加功率密度和降低系统总成本。”

Microchip MCU16业务部副总裁Joe Thomsen表示:“Microchip的dsPIC® DSC可以进行编程以充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。我们很荣幸与EPC公司合作,为我们的客户提供这种基于氮化镓器件的参考设计。 EPC的氮化镓技术与我们的dsPIC33CK控制器相结合,使工程师能够显着提高功率密度,从而满足各种先进计算和电信应用的苛刻要求。”

价格和供货情况

EPC9143演示板的单价为378美元,可通过Digi-Key公司立即购买,网址为http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供货商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括直流- 直流转换器 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、功率逆变器激光雷达(LiDAR)D类音讯放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

联络人

宜普电源转换公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])