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宜普电源转换公司(EPC)的200 V 氮化镓产品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

分类: 新闻稿
宜普电源转换公司(EPC)的200 V 氮化镓产品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

新一代200 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器,以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司(EPC)最新推出的两款200 V eGaN FET(EPC2215EPC2207),性能更高而同时成本更低,目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔,包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器(MPPT)、DC/DC转换器(硬开关和谐振式),以及多电平高压转换器。

EPC2215 (8 mΩ, 162 Apulsed)和EPC2207 (22 mΩ, 54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%,而性能却倍增。 与基准硅器件相比,这两款氮化镓器件的性能更高。 EPC2215的导通阻抗降低了33%,但尺寸却缩小了15倍。 其栅极电荷(QG)较基准硅MOSFET器件小十倍,并且与所有eGaN FET一样,没有反向恢复电荷(QRR),从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真,以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。

Performance comparison of benchmark silicon 200 V FET vs. 200 V eGaN FETs

EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示:“最新一代的eGaN FET在具备更高效散热的更小型尺寸内,实现更高的性能,而且其成本与传统MOSFET器件相若。氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。”

EPC公司与得克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心(SPEC)合作开发了的400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容(FCML)图腾柱无桥整流器,适用于数据中心,它使用了最新的200 V 氮化镓场效应晶体管(EPC2215)。 得克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说:“ 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。”

 

产品价格和供货

下表列出了产品及相关开发板和参考设计板的价格。所有产品及开发板可通过Digi-Key公司立即购买,网址为http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

Part Number 2.5K Reel
Price/Unit
Half-Bridge
Development Board
Price per
board
EPC2215 $2.84 EPC9099 $118.75
EPC2207 $1.49 EPC90124 $118.75

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供货商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪汽车应用领域功率逆变器三维成像与激光雷达(Lidar)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])