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面向快速发展的关键应用的GaN HEMT,它的性能优于MOSFET

分类: 技术文章
面向快速发展的关键应用的GaN HEMT,它的性能优于MOSFET

硅功率MOSFET未能跟上电力电子行业的发展变化,而效率、功率密度和更小的外形尺寸等因素是行业的主要需求。 硅MOSFET器件的性能已达到其理论极限,并且由于电路板的空间非常宝贵,因此功率系统设计人员必需找出替代方案。 氮化镓(GaN)器件是一种高电子迁移率晶体管(HEMT),这种半导体正为新兴应用不断增值。

EETimes
2020年8月
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