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与硅MOSFET相比,宜普电源转换公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET产品系列 为业界树立了全新的性能基准

分类: 新闻稿
与硅MOSFET相比,宜普电源转换公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET产品系列 为业界树立了全新的性能基准

新一代100 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、汽车信息娱乐及激光雷达系统的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司(EPC)最新推出的两款100 V eGaN FET(EPC2218EPC2204),性能更高并且成本更低,可立即发货。采用这些先进氮化镓器件的应用非常广阔,包括同步整流器、D类音频放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器(硬开关和谐振式)和面向全自动驾驶汽车、机械人及无人机的激光雷达系统

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的导通电阻降低了接近20%及提高了额定直流功率。与基准硅器件相比,这两款氮化镓器件的性能更高。

EPC2204的导通电阻降低了25%,但尺寸却缩小了3倍。 与基准硅MOSFET器件相比,其栅极电荷(QG)小超过50%,并且与所有eGaN FET一样,没有反向恢复电荷(QRR),从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真和更高效的同步整流器和电机驱动器

100 V基准硅场效应晶体管与100 V 氮化镓场效应晶体管的性能比较

EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示:“大家预计最新一代并且非常优越的100 V eGaN FET的价格会更高昂。但这些最先进的100 V晶体管的价格与等效老化器件相近。我们为设计工程师提供的氮化镓器件的优势是性能更高、尺寸更小、散热效率更高并且成本相近。氮化镓器件正在加速替代功率MOSFET器件。”

产品价格和供货

下表列出了产品及相关开发板和参考设计板的价格。所有产品及开发板可通过Digi-Key公司立即购买,网址为http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

产品型号 整卷2500个
的元件单价(美元)
半桥开发板 开发板的单价(美元)
EPC2218 $2.09 EPC90123 $118.75
EPC2204 $0.99 EPC9097 $118.75

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供货商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪汽车应用领域功率逆变器三维成像与激光雷达(Lidar)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])