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氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)与硅功率器件比拼第十三章、第一部分: 寄生电感对采用不同器件的转换器在性能方面的影响

分类: 技术文章

作者:宜普公司产品应用总监David Reusch博士

在不同的应用里与硅MOSFET器件相比,增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数,因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用(工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下),寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。

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