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领先业界的宜普公司氮化镓场效应晶体管获电子设计技术杂志颁发2012年度优秀产品奖

分类: 新闻稿

宜普公司(www.epc-co.com) 宣布获得电子设计技术杂志颁发2012年度创新奖(电源器件与模块组别)之优秀产品奖。今年是电子设计技术杂志扎根中国第八个年头,它通过全球电子设计工程师网友及经理的投票与专家选评取得结果,为电子产业内最具影响力和权威的奖项。

宜普公司首席执行官Alex Lidow 说“我们非常荣幸获得电子设计技术杂志颁发奖项,并得到业界工程师的支持,作为在市场的主导产品,EPC2012是我们氮化镓场效应晶体管系列中成员之一,为客户所采用的更高性能并替代硅基MOSFET器件的产品”。

EPC2012器件为第二代200 V、具高频开关及增强性能的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET),并使用无铅以及符合RoHS(有害物质限制)条例的封装。

EPC2012 FET是一款面积为1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件,RDS(ON)最大值是100 mΩ,栅极电压为5 V,脉冲额定电流为15 A,因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

eGaN FET 的设计信息及支持

关于电子设计技术杂志(EDN China)

全球70多家公司的128项产品参加了本届电子设计技术杂志2012年度创新奖“最佳产品奖”的角逐,技术分类包括9 大技术类别 :电源器件与模块、嵌入式系统、微处理器与 DSP、可编程器件、模拟与混合信号 IC、测试与测量、开发工具 与软件、无源器件与传感器,以及通讯与网络IC。此外还颁发了“工程师最喜爱的分销商奖”、“本土创新公司奖”和“创新工程师”奖项。电子设计技术杂志于超过20年前始创为国内第一本专注电子设计及知识交流的平台,目前其网站拥有超过400,000注册用户。详情请浏览www.ednchina.com.

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效LED照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联系人

Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com)

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