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宜普电源转换公司被评选为“电子工程专辑 Silicon 60”高新科技新创企业之一

分类: 新闻稿

增强型氮化镓场效应晶体管技术的领先供应商 宜普电源转换公司被评选为“电子工程专辑 Silicon 60”高新科技新创企业之一。这些公司是电子工程专辑的编辑团队根据各公司所发展的技术、目标市场、成熟度、财政状况、投资规模和行政人员的领导才能等多种考量标准而评选出来的。

宜普公司首席执行官Alex Lidow说非常荣幸被评选为最热门的新兴电子公司之一,及感谢电子工程专辑对宜普公司的评价为“一家值得关注的新兴企业”。

与先进的 硅功率MOSFET相比,宜普氮化镓场效应晶体管的尺寸更小及器件的开关性能高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管的增强性能的應用包括射频包络跟踪、无线电源传送、高效直流-直流电源、负载点转换器及D类音频放大器。宜普也发布了氮化镓技术的成本将低于硅功率MOSFET及可以替代日益受限、价值几十亿美元的功率MOSFET和IGBT市场的进程。

如欲取得宜普公司氮化镓场效应晶体管产品系列的详尽资料,请浏览 http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、微型逆变器、高效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com)

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