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宜普电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖

分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布EPC9102荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖 。

EPC9102 是一个全功能八分之一砖式转换器演示板。这块电路板是一个36 V-60 V 输入、12 V输出、375 KHz相移全桥式(PSFB)八分之一砖式转换器,最大输出电流为17A。EPC9102演示板展示了基于氮化镓场效应晶体管的直流-直流转换器可帮助工程师在业界基准砖式转换器的外形尺寸限制下提高输出功率及功率密度,

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说非常荣幸EPC9102获得今日电子杂志颁发十大电源产品技术突破奖 。相比等效商用八分之一砖式直流-直流转换器,EPC9102可以在高出大约50%至100%的的工作频率下实现优异性能。这是一个例证客户为何采用宜普的一系列高性能氮化镓场效应晶体管,并作为硅MOSFET器件的替代产品。

今日电子是领导业界的电子杂志,二零一二年十大电源奖的评选规则包括产品在技术或应用方面取得显著进步、具有开创性的设计或在性价比方面显著提高。颁奖典礼在九月二十日于该杂志主办的北京电源研讨会举行。

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、微型逆变器、高效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com)

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