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宜普电源转换公司(EPC)推出ePower 功率级集成电路系列,重新定义功率转换

宜普电源转换公司(EPC)推出ePower 功率级集成电路系列,重新定义功率转换

宜普电源转换公司(EPC)推出全新集成电路(IC)系列的首个产品,为高功率密度应用诸如DC/DC转换、电机驱动及D类放大器,提供更高性能及更小型化的解决方案。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出80 V、12.5 A的功率级集成电路,专为48 V DC/DC转换而设计,用于具有高功率密度的运算应用及针对电动车的电机驱动器。

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分类: 新闻稿

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

It’s okay to start using gallium-nitride (GaN) devices in your new designs. GaN transistors have become extremely popular in recent years. These wide-bandgap devices have been replacing LDMOS transistors in many power applications. For example, GaN devices are broadly being adopted for new RF power amplifiers used in cellular base stations, radar, satellites, and other high-frequency applications. In general, their ability to endure higher voltages and operate at frequencies well into the millimeter-wave (mmWave) range have them replacing traditional RF power transistors in most amplifier configurations.

Electronic Design
November, 2019
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分类: 技术文章

宜普电源转换公司提供氮化镓(eGaN)功率器件的晶圆

宜普电源转换公司提供氮化镓(eGaN)功率器件的晶圆

为了使得客户易于集成功率系统,宜普电源转换公司(EPC)为客户提供领导业界的氮化镓功率器件的晶圆。

EPC公司宣布推出领导业界的增强型氮化镓器件的晶圆,使得客户易于集成功率系统。EPC公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)及集成电路一直以来都是以单个并包含锡条或锡球的芯片级器件出售。

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分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出面向48 V DC/DC电源转换、马达控制及激光雷达应用的100 V氮化镓(eGaN)功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出面向48 V DC/DC电源转换、马达控制及激光雷达应用的100 V氮化镓(eGaN)功率晶体管

专为功率系统设计师而设的EPC2052功率晶体管是一种100 V、13.5 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管,可实现74 A脉冲输出电流。面向48 V-12 V DC/DC功率转换器,这些新一代氮化镓场效应晶体管工作在500 kHz频率下,可实现超过97%的效率。如果工作在1 MHz时,则实现超过96%的效率。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为13.5 mΩ及脉冲输出电流高达74 A 以支持高效功率转换。

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分类: 新闻稿

于无刷式直流伺服马达,采用硅器件与采用氮化镓场效应晶体管的功率逆变器的比较

由于德国航空太空中心的机械人及机械电子研究院(Robotics and Mechatronics Institute )对改善传感器及功率电子的兴趣很大,我们利用开发全新机械人的机会来评估宜普电源转换公司(EPC)的全新增强型氮化镓场效应晶体管技术并与我们目前最优秀的逆变器设计进行比较。

杂志 :Bodo’s Power Systems
作者:德国航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期:2014年3月

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分类: 技术文章