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宜普电源转换公司(EPC)推出的单片式氮化镓半桥功率晶体管推动负载点转换器在48 V转12 V、22 A输出电流下实现超过97%的系统效率

宜普电源转换公司(EPC)推出的单片式氮化镓半桥功率晶体管推动负载点转换器在48 V转12 V、22 A输出电流下实现超过97%的系统效率

采用全新100 V EPC2104 半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下,系统效率可超过97%;而在22 A、500 kHz开关频率下,系统效率则接近97%。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2104(100 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及所需的空隙,使晶体管的占板面积减少50%。这样可以提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管, 可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率

宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管, 可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率

宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管,进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙,使晶体管的占板面积减少50%。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司的单片式eGaN半桥晶体管系列 荣获《Electronic Products》杂志颁发 2014年「年度产品大奖」

宜普电源转换公司的单片式eGaN半桥晶体管系列 荣获《Electronic Products》杂志颁发 2014年「年度产品大奖」
单晶片半桥式氮化镓功率晶体管EPC2100获得著名电子杂志颁发「年度产品大奖」,在竞争激烈的分立式半导体产品类别中被评选为极具创新性的产品。 宜普电源转换公司(EPC)的单片半桥式硅基氮化镓(eGaN®)功率晶体管荣获《Electronic Products》杂志颁发2014年「年度产品大奖」。 面向电子设计工程师的业界著名杂志《Electronic Products》的编辑对数千个于2014年推出的半导体产品进行评选。评审标准包括极具创新性的设计、产品在技术或应用方面具备重大的创新能力,以及在性价比和性能方面取得重大成果。宜普电源转换公司的半桥式硅基氮化镓(eGaN®)功率晶体管作为业界第一个可作商业用途的增强型单晶半桥式晶体管在竞争激烈的分立式半导体类别获得「年度产品大奖」殊荣。 「EPC2100半桥产品系列实现了新兴氮化镓半导体技术的大跃进。」《Electronic Products》杂志高级编辑Paul O’Shea说。「通过集成两个eGaN功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙。 这样可以提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。」 「我们非常荣幸获得业界著名杂志《Electronic ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 可推动28V转1 V负载点转换器在14 A输出电流时实现超过87%效率

EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率,以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时,与分立式解决方案相比,晶体管的占板面积减少50%。 宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙,使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101 最理想的应用领域是高频直流-直流转换。 在EPC2101 半桥式元件内,每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是8.4 mΩ,下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是2 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一,使得具有高VIN/VOUT比值的降压转换器可实现最佳直流-直流转换效率。EPC2101使用芯片封装方式以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥器件 可推动48V转12 V转换器系统在20 A输出电流时实现超过97%效率

EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率,以及推动48 V转至1 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。 宜普电源转换公司宣布推出80 V增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2105)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙、提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 V直接转至1 V系统负载的高效单级转换的应用。 在EPC2105半桥元件内每一个器件的额定电压是80 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是10 mΩ,下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是2.3 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一,使得器件在具有高VIN/VOUT比的降压转换器中可实现最佳直流-直流转换效率。EPC2105使用晶片尺寸封装以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管推动 12 V转至1.2 V负载点转换器系统在25 A输出电流下实现超过90%效率

EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率,以及在25 A时效率可高于90.5%。 宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。 在EPC2100半桥元件内每一个器件的额定电压是30 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是6 mΩ,下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是1.5 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一,具高VIN/VOUT比,在降压转换器可取得最优直流-直流转换效率。EPC2100使用晶片尺寸封装以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米,功率密度更高。 宜普电源转换公司创始人兼首席执行官称「现在设计师可利用氮化镓技术所带来的第一个范例 - 单片式eGaN 半桥器件系列,可节省空间、提高效率及降低系统成本。当功率转换系统延伸至数MHz的领域,集成多个分立器件变得更为重要以实现高系统效率及高功率密度。」 开发板 EPC9036开发板 ... 阅读全文
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