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硅片已死……分立功率器件快将消失

硅片已死……分立功率器件快将消失

在超过四十年中,随着功率MOSFET器件的结构、技术和电路拓扑的创新,可满足不断增长的电力需求,因此改善了电源管理的效率和成本。 然而,在这新世纪的发展,随着硅功率MOSFET器件已经接近其理论极限,其改进速度已大为减慢。 与此同时,一种全新材料 - 氮化镓(GaN)- 正朝着新的理论性能领域的方向,稳步发展,其性能是老化的MOSFET器件的6,000倍,以及是目前市场的最优越GaN器件的300倍。

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2020年6月
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分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 可推动28V转1 V负载点转换器在14 A输出电流时实现超过87%效率

EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率,以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时,与分立式解决方案相比,晶体管的占板面积减少50%。

宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙,使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101 最理想的应用领域是高频直流-直流转换。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥器件 可推动48V转12 V转换器系统在20 A输出电流时实现超过97%效率

EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率,以及推动48 V转至1 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。

宜普电源转换公司宣布推出80 V增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2105)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙、提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 V直接转至1 V系统负载的高效单级转换的应用。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管推动 12 V转至1.2 V负载点转换器系统在25 A输出电流下实现超过90%效率

EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率,以及在25 A时效率可高于90.5%。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

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分类: 新闻稿