新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

It’s okay to start using gallium-nitride (GaN) devices in your new designs. GaN transistors have become extremely popular in recent years. These wide-bandgap devices have been replacing LDMOS transistors in many power applications. For example, GaN devices are broadly being adopted for new RF power amplifiers used in cellular base stations, radar, satellites, and other high-frequency applications. In general, their ability to endure higher voltages and operate at frequencies well into the millimeter-wave (mmWave) range have them replacing traditional RF power transistors in most amplifier configurations.

Electronic Design
November, 2019
Read article

阅读全文
分类: 技术文章

基于氮化镓(eGaN)技术的汽车应用即将到来

基于氮化镓(eGaN)技术的汽车应用即将到来

宜普电源转换公司(EPC)的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。

宜普电源转换公司宣布其两个车用氮化镓(eGaN®)器件成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境实现多种全新应用。EPC2202EPC2203是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、80 VDS 的分立晶体管。面向严峻的车用环境的多个分立晶体管及集成电路也将在不久的未来推出。

阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化镓功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化镓功率晶体管

宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2049),应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)及具低电感的马达驱动器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶体管,应用于负载点(POL)转换器激光雷达(LiDAR)包络跟踪电源D类音频放大器及具低电感的马达驱动器。 EPC2049晶体管的额定电压为40 V、最大导通电阻为5 mΩ及脉冲输出电流为175 A。

阅读全文
分类: 新闻稿

GaN FETs Drive Fidelity and Efficiency in Class-D Audio Amplifiers

GaN FETs Drive Fidelity and Efficiency in Class-D Audio Amplifiers

With the current maturity of Class-D audio amplifier architectures, amplifier fidelity and efficiency limitations are primarily at the device level. Silicon MOSFETs have been evolving for almost forty years, and their progress towards a perfect switch has slowed dramatically. There are some fundamental characteristics of MOSFETs that degrade sound quality and efficiency. In 2010, the enhancement mode Gallium nitride (GaN) power FET was introduced by Efficient Power Conversion (EPC), providing a large step towards the perfect switch.

Audio Engineering Society
May 11, 2017
Read article

阅读全文
分类: 技术文章

EPC推出视频系列《GaN如何改变我们的生活方式》

EPC推出视频系列《GaN如何改变我们的生活方式》

宜普电源转换公司(EPC)与工程师分享经过专业制作的6个视频,展示出在最终客户端的应用,例如无线充电桌面、高性能激光雷达、48 V–1.8 V DC/DC单级转换,以及利用氮化镓晶体管及集成电路实现准确控制的马达驱动器等应用。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)制作了6个精简视频,展示出在最终客户端采用eGaN® FET及集成电路eGaN® FET及集成电路的应用。这些视频描述氮化镓技术正在改变我们的生活方式,并挑战功率系统设计工程师如何在他们新一代的功率系统设计中,发挥高效氮化镓场效应晶体管及集成电路的优势。

阅读全文
分类: 新闻稿

EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃

EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃

EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),对比前一代的产品,这些晶体管的尺寸减半,而且性能显著提升。

全球增强型氮化镓晶体管领袖厂商、致力于开发创新的硅基功率场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶体管,在提升产品性能之同时也可以降低成本。100 V的EPC2045应用于开放式伺服器架构应用于开放式伺服器架构以实现48 V至负载的单级电源转换、负载点(POL)转换器、USB-C及激光雷达(LiDAR)等应用。200 V 的EPC2047的应用例子包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器

阅读全文
分类: 新闻稿

为什么我们的音乐生活将会是D类功放的天下?

为什么我们的音乐生活将会是D类功放的天下?

数十年以来,音响爱好者一直认为A类功放是黄金标准。可是,目前刚刚开始的大趋势是D类功放广受音响发烧友青睐。为什么呢?这是因为全新D类音频放大器发展快速,其性能接近A类放大器,而A类并没有具备D类的优势。一种全新的晶体管技术 -- 氮化镓(GaN)技术 -- 正在改变世界高质音响领域。基于氮化镓器件的D类放大器比传统、基于MOSFET的D类放大器的功效更高,而且前者的性能改进可达数个数量级之多。

Audiophile Review
2016年9月19日
阅读全文

阅读全文
分类: 技术文章

窒化ガリウムは、D級オーディオに優れた音質をもたらします

窒化ガリウムは、D級オーディオに優れた音質をもたらします
最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。 阅读全文
分类: 技术文章

Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驱动器亮相

Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驱动器亮相

基于氮化镓材料的场效应晶体管正在颠覆功率转换市场和替代硅基MOSFET。 与MOSFET相比,更快速的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)可以在最细小的体积内实现更高的开关速度。 氮化镓器件的承诺是可以大大缩减电源供应器的体积及重量。为了实现最高的潜在性能, 这些具备高性能的氮化镓晶体管需要最优化的栅极驱动器。

Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
阅读全文

阅读全文
分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)推出面向D类音频放大器的理想器件 -- 小尺寸、具备超快速开关性能并工作在2 MHz以上频率的单片半桥式氮化镓功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出面向D类音频放大器的理想器件 -- 小尺寸、具备超快速开关性能并工作在2 MHz以上频率的单片半桥式氮化镓功率晶体管

氮化镓功率晶体管 -- EPC2106为功率系统设计师提供的解决方案可以在2 MHz以上频率开关,从而不会干扰AM频段及降低过滤成本,因此是具备低失真性能的D类音频放大器的理想选择。

宜普电源转换公司宣布推出单片半桥式增强型氮化镓晶体管 --EPC2106。通过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及PCB板上器件之间所需的间隙空间,从而提高效率(尤其是在更高频时)及提高功率密度而同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

阅读全文
分类: 新闻稿

实现专业高音质及96%功率效率 – 宜普公司的演示板采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),实现具备卓越音频性能并节省占位空间的设计

实现专业高音质及96%功率效率 – 宜普公司的演示板采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),实现具备卓越音频性能并节省占位空间的设计

采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的EPC9106 D类音频放大器参考设计展示出可以提升效率、缩减尺寸及省去散热器之同时可以实现针对专业级消费者所要求的高音质。

宜普电源转换公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计,包含四个接地的半桥输出功率级电路,使得设计可以升级及扩展。

阅读全文
分类: 新闻稿

Panasonic breathes new life into Technics – features GaN for high speed switching

Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.

Read article

阅读全文
分类: 技术文章

How To GaN: eGaN® FETS in High Performance Class-D Audio Amplifiers

The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.

EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014

阅读全文
分类: 技术文章

GaN — Still Crushing Silicon One Application at a Time

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

阅读全文
分类: 技术文章

专业高音质并可实现96%效率 – 宜普公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)演示板,实现具备高质音频性能并可以节省空间的设计

EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管,展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。

宜普电源转换公司推出150 W、8 Ω D类音频放大器的参考设计(EPC9106)。该演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计,配置四个具接地连接的半桥输出级电路,为可升级及可拓展的设计。在这个基于氮化镓场效应晶体管的系统中,我们把所有可影响D类音频系统音质的元素减至最少或完全去除。

阅读全文
分类: 新闻稿