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氮化镓器件缓解了硅器件的问题

氮化镓器件缓解了硅器件的问题

就像生活要面对现实一样,老年人离开舞台而让位给年轻人,硅器件也是需要向现实低头。 随着氮化镓器件的问世和普及,正逐步淘汰旧有可靠的硅器件。 在过去的四十年中,随着功率MOSFET器件的结构、技术和电路拓扑的创新与不断增长的电力需求同步发展,电源管理的效率和成本一直以来得以稳步改善。 但是,在业界发展的新时代,随着硅功率MOSFET器件接近其理论极限,其演进速度下降了很多。 同时,新材料氮化镓的理论性能极限稳步发展,其性能极限比老化的MOSFET器件高出6,000倍,并且比目前市场上最好的氮化镓产品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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分类: 技术文章

虚拟圆桌会议 : 用于D类音频放大器的氮化镓器件与硅器件的比较(第2部分,共2部分)

虚拟圆桌会议 : 用于D类音频放大器的氮化镓器件与硅器件的比较(第2部分,共2部分)

在EEWorld “虚拟圆桌会议” 关于D类音频的讨论的第二部分中,我们的小组成员深入探讨了新兴氮化镓器件(GaN)对D类设计的影响:硅器件在哪方面仍然占主导地位? 在D类放大器中使用GaN的性能优势是什么? D类放大器中GaN与硅的未来预期趋势如何?

参加这个虚拟圆桌会议包括Analog Devices公司音频系统架构师Joshua LeMaire(JL)、 宜普电源转换公司(EPC)战略技术销售副总裁Steve Colino(SC)和 英飞凌(Infineon )D类音频应用工程主管Jens Tybo Jensen(JTJ)。

EEWorld Online
2020年7月
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分类: 技术文章

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

Efficient Power Conversion (EPC) will showcase the company’s latest ePower™ Stage IC family of products showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for computing, communications, robotics, and transportation at the PCIM Europe 2020 Digital Days.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2020 — The EPC team will be delivering three technical presentations and participating in two panel discussions on gallium nitride (GaN) technology and applications at the upcoming PCIM Europe 2020 Digital Days, July 7 – 8. In addition, the company will participate in the event’s virtual exhibit, showing its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are rapidly adopting eGaN technology.

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分类: 新闻稿

氮化镓与48 V应用 – 目前的发展及何去何从?

氮化镓与48 V应用 – 目前的发展及何去何从?

中压氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的成本在三年前已经比等效额定功率MOSFET器件的成本更低。当时,EPC公司决心利用氮化镓场效应晶体管的性能及成本效益优势,积极研发及支持48 V输入或输出的应用。车用及计算机应用的48 V 转换逐渐成为全新的架构,也成为了功率系统的全新标准。

Power Systems Design
2020年3月31日
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分类: 技术文章

面向多种功率应用的氮化镓晶体管

面向多种功率应用的氮化镓晶体管

硅功率MOSFE追不上目前功率电子业界的演进步伐 -- 业界需要具备高效、高功率密度及细小的外型尺寸的器件。业界看到硅MOSFET已经达到它的理论极限,从而需要找出全新器件。氮化镓(GaN)是一种HEMT器件,具备附加增值的优势,被证明为可以支持全新应用的要求。

Power Electronics News
2020年3月25日
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分类: 技术文章

采用与氮化镓场效应晶体管匹配的驱动器集成电路可以提升低压负载点转换器的性能

采用与氮化镓场效应晶体管匹配的驱动器集成电路可以提升低压负载点转换器的性能

本文阐析面向12 V输入电压转到1 V输出电压的负载点转换器,如果采用与氮化镓场效应晶体管匹配的驱动器,可以显著提升性能。从文章中展示的uPI1966D设计范例可以看到,EPC公司的不对称氮化镓半桥场效应晶体管EPC2100与uPI半导体公司的双通道同步驱动器集成电路是非常匹配的。

How2Power Today
2019年12月
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分类: 技术文章

Go-ahead for GaN

Go-ahead for GaN

It’s getting harder to avoid using GaN power transistors and ICs, says Alex Lidow. There are many reasons to use GaN-on-Si power transistors such as eGaN FETs, in telecoms, vehicles, healthcare and computing. Smaller, faster, lower cost, and more integrated, GaN-on-Si devices have spent a decade gaining the confidence and trust of designers across the spectrum of power conversion applications.

Electronic Specifier
November 20, 2019
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分类: 技术文章

EPC Partners with Solace Power to Incorporate Highly Efficient, Low Cost eGaN FETs for Its Upcoming 250-Watt Wireless Power Platforms

EPC Partners with Solace Power to Incorporate Highly Efficient, Low Cost eGaN FETs for Its Upcoming 250-Watt Wireless Power Platforms

Efficient Power Conversion (EPC) provides gallium nitride-based power devices for Solace Power’s 250 W wireless power platforms to enable higher power solutions and faster design cycle times.

EL SEGUNDO, Calif.— September 2019 — EPC announces collaboration with Solace Power, a leading wireless power, sense and data company, to enable 250-watt wireless power solutions designed for 5G, aerospace, automotive, medical, and industrial applications. Solace Power’s intelligent wireless platform use EPC’s 200 V enhancement-mode gallium nitride (eGaN®) power transistors. This modular platform shares the same Equus™ architecture and enables up to 250 Watts of transmitted power with superior six degrees of spatial freedom.

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分类: 新闻稿

DC-DC Conversion for 48 V – 12 V Automotive Applications

DC-DC Conversion for 48 V – 12 V Automotive Applications

GaN transistors, with favorable figures of merit (FOM) for 48 V applications, can provide a reduction in size, weight, and bill of material costs. This article presents a five-phase, fully regulated, bidirectional 48 V to 12 V DC-DC converter. An advancedthermalmanagement solution suitable for use with eGaN FETs results in a system that can provide 3kW of power at an efficiency exceeding 97.5% into a 14.5 V battery.

Power Systems Design
July, 2019
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分类: 技术文章

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出面向48 V DC/DC电源转换、马达控制及激光雷达应用的100 V氮化镓(eGaN)功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出面向48 V DC/DC电源转换、马达控制及激光雷达应用的100 V氮化镓(eGaN)功率晶体管

专为功率系统设计师而设的EPC2052功率晶体管是一种100 V、13.5 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管,可实现74 A脉冲输出电流。面向48 V-12 V DC/DC功率转换器,这些新一代氮化镓场效应晶体管工作在500 kHz频率下,可实现超过97%的效率。如果工作在1 MHz时,则实现超过96%的效率。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为13.5 mΩ及脉冲输出电流高达74 A 以支持高效功率转换。

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分类: 新闻稿

It's Time to Rethink Power Semiconductor Packaging

It's Time to Rethink Power Semiconductor Packaging

When the issue invariably turns to the packaging of the power semiconductor – transistor, diode, or integrated circuit – the requests for improvement fall into six categories:

1. Can you make the package smaller?
2. Can you reduce the package inductance?
3. Can you make the product with lower conduction losses?
4. Can you make the package more thermally efficient?
5. Can you sell the product at a lower price?
6. Can you make the package more reliable?

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分类: 技术文章

为什么采用氮化镓器件?

为什么采用氮化镓器件?

氮化镓技术已经成熟至可以挑战传统的硅技术。从2010年起,商用的低压硅基氮化镓功率器件实现了很多全新应用。具备高速开关性能的氮化镓器件也推动了全新市场的出现,例如激光雷达、包络跟踪及无线电源市场。这些全新应用有助供应链的开发、实现低制造成本及良好的器件可靠性记录。这一切对于比较保守的DC/DC转换器、AC/DC转换器及车载应用的设计工程师来说,是很好的理据,是时候开始对氮化镓器件进行评了。本文探讨加快采纳氮化镓器件的各项因素。

Electronics Weekly
2019年1月
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EPC扩大亚洲团队,针对客户解决方案释放创新力量

EPC扩大亚洲团队,针对客户解决方案释放创新力量

作为为支持DC/DC、激光雷达(LiDAR)、无线电源应用等方面不断扩大的客户群进行扩展的一部分,宜普电源转换公司(EPC)扩大了其在亚洲的团队,增加的新成员将与整个亚太地区21个地区的客户保持密切联系。

2018年11月28日— 为了支持在亚太地区正在加速的销售增长,宜普电源转换公司(EPC)宣布扩大亚太地区的销售和FAE团队,以支持其不断扩大的客户群,积极获取全新的业务发展及抓住全新的市场商机。

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分类: 新闻稿

eGaN FET-Based Synchronous Rectification

eGaN FET-Based Synchronous Rectification

As GaN-on-Si becomes more common in DC-DC converter designs, questions often arise from experienced designers about the impact of the unique characteristics of GaN transistors when used as synchronous rectifiers (SRs). In particular, the third quadrant off-state characteristics, better known as “body diode” conduction in Si MOSFETs, which is activated during converter dead-time, is of interest. For this article, the focus will be on the similarities and differences of Si MOSFETs and eGaN® FETs when operated as a “body diode” and outline their relative advantages and disadvantages.

Bodo’s Power Systems
By David Reusch & John Glaser
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分类: 技术文章

Efficient Power Conversion (EPC) Announces MIGVAN as Sales, Marketing, and Technical Support Partner for Israel

Efficient Power Conversion (EPC) Announces MIGVAN as Sales, Marketing, and Technical Support Partner for Israel

MIGVAN now represents EPC’s Israel sales, marketing, and technical support to assist customers in adopting eGaN® FETs and ICs for leading-edge power conversion systems using gallium nitride

EL SEGUNDO, Calif.— October 2017 — To support its accelerating growth throughout Israel, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce the appointment of MIGVAN as its sales, marketing, and technical support representative.  MIGVAN Technologies & Engineering Ltd, founded in 1988, is devoted to promoting and selling advanced technology electronic components and subsystems to the Israeli electronics industry.

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一位科学家的自述:曾为世界节省15%的电量,如今找到硅的替代物

一位科学家的自述:曾为世界节省15%的电量,如今找到硅的替代物

这位在40年前成为博士的科学家曾为世界节省了15%电量,如今他正继续自己的创新之旅,为人类找到了硅的全新替代材料。

我父亲常常教导我:一个人的真正价值,是通过他对社会所作出的贡献来衡量的。1975年我进入研究生院学习,那时我的兴趣在半导体领域,并且认为我对社会最大的贡献,就是找到可以替代硅的半导体材料。我的研究生毕业课题从围绕砷化镓展开,但是直到在1977年获得博士学位后,我才发现,作为一种半导体材料,砷化镓受其基本材料特性所影响,它的应用前景非常有限,于是我转而专注于研究如何制造出更好的硅基器件。

财富中文网 (Fortune China)
2017年6月15日
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等同于CMOS的竞争对手 -- 氮化镓(GaN)技术引燃了改变市场的创新动力

从业界的观点来看,只有可以为人类提供效益及性能优势的技术才能够生存。 主流技术CMOS就是一直为业界提供无比的益处而得以长存。 当下的问题是CMOS技术将会变成夕阳产业吗?新兴的氮化镓技术终于能够打破阻碍氮化镓功率器件普及化的成本障碍。根据2015年DesignCon研讨会的主讲嘉宾所描述,氮化镓技术可推动宽泛范围的新兴应用的发展,包括从无线充电、全自动汽车以至更高效的移动通信等应用。

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EETimes Asia
2015年2月

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分类: 技术文章