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Thermal design for a high density GaN-based power stage

Thermal design for a high density GaN-based power stage
eGaN FETs and ICs enable very high-density power converter design, owing to their compact size, ultra-fast switching, and low on-resistance. The limiting factor for output power in most high-density converters is junction temperature, which prompts the need for more effective thermal design. The chip-scale packaging of eGaN FETs and ICs offer six-sided cooling, with effective heat extraction from the bottom, top, and sides of the die. This article presents a high-performance thermal solution to extend the output current capability of eGaN-based converters. EDN Read article 阅读全文
分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

专为功率系统设计师而设的EPC2051功率晶体管是一种100 V、25 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管,可实现37 A脉冲输出电流。EPC2051是多种应用的理想器件,包括48 V功率转换器、激光雷达及LED照明等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on)))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管,推动 12 V转至1.8 V系统在5 MHz、14 A输出电流下实现超过85%效率

宜普电源转换公司(EPC)推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管,推动 12 V转至1.8 V系统在5 MHz、14 A输出电流下实现超过85%效率

EPC2111氮化镓半桥功率晶体管帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用,在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率,及在10 MHz开关时实现超过80%效率。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出30 V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管EPC2111)。透过集成两个eGaN® 功率场效应晶体管形成单个元件,可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度,而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12 V转至负载点DC/DC转换的理想元件。

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分类: 新闻稿

Getting from 48 V to load voltage

Getting from 48 V to load voltage
Improving low-voltage DC/DC converter performance with GaN transistors: The emergence of commercially available and cost-effective gallium nitride (GaN) power transistors begins a new age in power electronics. There are significant benefits in using enhancement-mode gallium nitride FET (eGaN FET) devices in power converters for existing data center and telecommunications architectures centering around an input voltage of 48 VDC with load voltages as low as 1 VDC. High-performance GaN power transistors can enable new approaches to power data center and telecommunications systems with ... 阅读全文
分类: 技术文章

于无刷式直流伺服马达,采用硅器件与采用氮化镓场效应晶体管的功率逆变器的比较

由于德国航空太空中心的机械人及机械电子研究院(Robotics and Mechatronics Institute )对改善传感器及功率电子的兴趣很大,我们利用开发全新机械人的机会来评估宜普电源转换公司(EPC)的全新增强型氮化镓场效应晶体管技术并与我们目前最优秀的逆变器设计进行比较。

杂志 :Bodo’s Power Systems
作者:德国航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期:2014年3月

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分类: 技术文章

高频功率转换器件的封装的考虑因素

在开关频率10 MHz或以上,电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件,由于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)提供无可匹敌的器件性能及封装,因此可以在高频时提高电源转换效率。

Bodo’s Power Systems
客席编辑: Alex Lidow
2013年11月

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分类: 技术文章
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