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宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)的两个车规级氮化镓晶体管(EPC2202及EPC2203)成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证,推动一系列面向车用及其它严峻环境的应用的发展。

宜普电源转换公司(EPC)的第一批通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证的氮化镓场效应晶体管(EPC2202EPC2203),荣获《今日电子》杂志与21IC中国电子网颁发2018年度“Top-10电源产品奖—技术突破奖”。该奖项在2018年9月13日于北京举行的21iC电源技术研讨会上颁发。

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分类: 新闻稿

APEC 2018: 关于EPC氮化镓器件的专业教育研讨会

APEC 2018: 关于EPC氮化镓器件的专业教育研讨会

Alex Lidow与他的团队队员Michael de Rooij、David Reusch及John Glaser于今天早上的专业研讨会上,与专业工程师(PE)分享实用的议题 -- “发挥氮化镓场效应晶体管及集成电路的最高性能,不仅仅替代MOSFET器件”,使得整个教室被挤得水泄不通。

Planet Analog
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分类: 技术文章

EPC正在带领全球开启无线充电新时代

EPC正在带领全球开启无线充电新时代

NextbigFuture访问了EPC公司的首席执行官Alex Lidow。 EPC公司是制造氮化镓晶体管的领导厂商,目前带领业界开启无线充电新时代。在5至10年内,我们将有可能看到全屋或写字楼从采用昂贵的电源线改为在广泛地方采用无线充电解决方案供电。

NextBigFuture
2017年9月9日
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分类: 技术文章

从2016年APEC研讨会可以看到GaN的发展进程、更多关于电磁器件的讨论内容及一个极具启发性的全体会议

从2016年APEC研讨会可以看到GaN的发展进程、更多关于电磁器件的讨论内容及一个极具启发性的全体会议

从本年的APEC研讨会的各个讨论题目显然可以看到,氮化镓功率技术的相关知识备受关注的程度,是前所未有的。采用氮化镓技术的产品路演、全新产品及技术发布、全体会议对氮化镓技术的关注及其他讨论题目都让与会者感到氮化镓功率器件已经来临,而氮化镓技术正在进驻市场。而且讨论重点也稍微改变,从讨论氮化镓器件可以做什么,改为讨论需要其他什么资源及支持,才可以实现基于氮化镓功率晶体管的全新产品开发方案。

How2Power Today
David Morrison
2016年4月1日
读过的文章

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)将于APEC国际研讨会展示基于eGaN技术的应用如何改变了我们的生活方式

宜普电源转换公司(EPC)将于APEC国际研讨会展示基于eGaN技术的应用如何改变了我们的生活方式

宜普电源转换公司将于国际著名2016年APEC®功率电子与应用研讨会展示面向广阔应用领域并基于卓越氮化镓技术的20多种演示电路。氮化镓技术切实改变了我们的生活方式。我们的技术专家将以最新技术为主题,举行合共六场演讲。

宜普电源转换公司的团队将于2016年3月20日至24日在美国加州Long Beach举行的2016年APEC研讨会,举行以氮化镓(GaN)技术及应用为主题的六场演讲。此外,EPC将展示最新的eGaN® FET及集成电路,以及分享客户的基于eGaN技术的最终产品。 在探究各个应用领域的发展之同时,即场演示包括与Qi及AirFuel标准兼容并支持多模式解决方案的无线电源系统、单级48 V转1 V DC/DC转换器、利用LiDAR技术制作实时3D图像的照相机及与LTE兼容的包络跟踪电源。欢迎莅临我们的展台(#2244)参观。

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分类: 新闻稿

Evolving eGaN FETs for power electronics

Evolving eGaN FETs for power electronics

The combination of lower on-resistance, faster switching speeds, lower thermal impedance, and smaller physical size of eGaN FETs continues to raise the bar for power transistor performance. As GaN technology matures, not only does the performance of these transistors rapidly improve, but significant reductions in cost are also realized. Not only will GaN devices continue to enable new applications, they will replace silicon power transistors in cost-sensitive applications as well. As a matter of fact, the first signs of this happening are already here.

Power Systems Design
By: Johan Strydom, Ph.D.
September 26, 2015
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分类: 技术文章