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GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications

GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications

Gallium nitride (GaN) power devices have been in volume production since March 2010 and have established a remarkable field-reliability record. An automotive application using GaN power devices in high volume is lidar (light detection and ranging) for autonomous vehicles. Lidar technology provides information about a vehicle’s surroundings, thus requiring high accuracy and reliability to ensure safety and performance. This article will discuss a novel testing mechanism developed by Efficient Power Conversion (EPC) to test eGaN devices beyond the qualification requirements of the Automotive Electronics Council (AEC) for the specific use case of lidar.

eeNews Europe
July 30, 2020
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分类: 技术文章

Power Product News from ‘Virtual APEC’

Power Product News from ‘Virtual APEC’

Starting on page 13 of this story, EPC discusses with David Morrison the latest GaN developments meant for APEC. Alex Lidow, CEO and co-founder of EPC, discussed his company’s new power stage ICs, their development of GaN-based reference designs using a multi-level topology and various demos that were originally bound for APEC.

How2Power Today
April, 2020
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分类: 技术文章

学习利用氮化镓(GaN)技术设计最先进的人工智能、机械人、无人机、 全自动驾驶汽车及高音质音频系统

学习利用氮化镓(GaN)技术设计最先进的人工智能、机械人、无人机、 全自动驾驶汽车及高音质音频系统

EPC公司进一步更新了其广受欢迎的教育视频播客系列,上载了6个视频,针对器件可靠性及基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的各种先进应用,包括面向人工智能的高功率密度运算应用,面向机械人、无人机及车载应用的激光雷达系统,以及D类放音频放大器。

宜普电源转换公司(EPC)更新了其广受欢迎的“如何使用氮化镓器件”的视频播客系列。刚刚上载的六个视频主要分享实用范例,目的是帮助设计师利用氮化镓技术设计面向人工智能服务器及超薄笔记本电脑的先进DC/DC转换器、面向机械人、无人机及全自动驾驶汽车的激光雷达系统,以及实现有可能是具有最高音质的音频系统

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分类: 新闻稿

氮化镓与48 V应用 – 目前的发展及何去何从?

氮化镓与48 V应用 – 目前的发展及何去何从?

中压氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的成本在三年前已经比等效额定功率MOSFET器件的成本更低。当时,EPC公司决心利用氮化镓场效应晶体管的性能及成本效益优势,积极研发及支持48 V输入或输出的应用。车用及计算机应用的48 V 转换逐渐成为全新的架构,也成为了功率系统的全新标准。

Power Systems Design
2020年3月31日
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分类: 技术文章

氮化镓(GaN)技术的最新发展是什么?

氮化镓(GaN)技术的最新发展是什么?

著名企业领袖 - 宜普电源转换公司(EPC)首席执行官Alex Lidow于2009年在市场推出第一个氮化镓晶体管。 经过了10年的氮化镓产品销售,DESIGN & ELEKTRONIK 杂志编辑Ralf Higgelke与Alex会面并谈论氮化镓技术的最新发展。

DESIGN & ELEKTRONIK杂志
2020年2月20日
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分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)推出基于车规级氮化镓(eGaN)技术的飞行时间(ToF)演示板,可在高达28 A并具1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光

宜普电源转换公司(EPC)推出基于车规级氮化镓(eGaN)技术的飞行时间(ToF)演示板,可在高达28 A并具1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光

EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)可支持大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒,从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板(EPC9144)。

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分类: 新闻稿

采用GaN技术的电源转换

采用GaN技术的电源转换

当硅技术已经到了性能极限,采用氮化镓器件的全新设计使得氮化镓技术得以继续普及。氮化镓器件的发展还是刚刚起步,它的性能将得以继续提升、集成电路也将会更具优势,以及将有更多全新的氮化镓产品推出市场。

Electronics Weekly
2019年12月
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分类: 技术文章

Go-ahead for GaN

Go-ahead for GaN

It’s getting harder to avoid using GaN power transistors and ICs, says Alex Lidow. There are many reasons to use GaN-on-Si power transistors such as eGaN FETs, in telecoms, vehicles, healthcare and computing. Smaller, faster, lower cost, and more integrated, GaN-on-Si devices have spent a decade gaining the confidence and trust of designers across the spectrum of power conversion applications.

Electronic Specifier
November 20, 2019
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分类: 技术文章

Executive Interview with Alex Lidow on Winning GaN Applications

Executive Interview with Alex Lidow on Winning GaN Applications

Ahead of December’s Power Conference in Munich, Bodo Arlt took the opportunity to get an insight into Alex Lidow’s thoughts on where the GaN market is now and where he sees the potential applications for the future. Dr. Lidow is the CEO and Co-founder of Efficient Power Conversion (EPC).

Bodo’s Power Systems
November, 2019
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功率半导体战争开始了

功率半导体战争开始了

氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)器件的价格下调,对客户而言,更为吸引。多家供应商推出基于氮化镓及碳化硅的功率半导体,摩拳擦掌,正在爆发新一轮的半导体大战,全速进攻传统硅基器件的市场份额。

Semiconductor Engineering
2019年10月
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分类: 技术文章

车规级氮化镓场效应晶体管(15 V 的EPC2216)使得ToF激光雷达系统“看得”更清晰

车规级氮化镓场效应晶体管(15 V 的EPC2216)使得ToF激光雷达系统“看得”更清晰

宜普电源转换公司(EPC)的车规级并通过AEC Q101认证的氮化镓晶体管系列增添全新成员 -- 经过优化的15 V EPC2216,实现不昂贵的高性能激光雷达系统。

宜普公司宣布15 V的EPC2216成功通过AEC Q101认证,专为需要高准确性的激光雷达应用而设计,例如全自动驾驶汽车,以及其它的飞行时间(ToF)应用,包括人面识别、自动化仓库、无人机及地图制作。

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分类: 新闻稿

DC-DC Conversion for 48 V – 12 V Automotive Applications

DC-DC Conversion for 48 V – 12 V Automotive Applications

GaN transistors, with favorable figures of merit (FOM) for 48 V applications, can provide a reduction in size, weight, and bill of material costs. This article presents a five-phase, fully regulated, bidirectional 48 V to 12 V DC-DC converter. An advancedthermalmanagement solution suitable for use with eGaN FETs results in a system that can provide 3kW of power at an efficiency exceeding 97.5% into a 14.5 V battery.

Power Systems Design
July, 2019
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分类: 技术文章

氮化镓正面攻击硅功率MOSFET器件

氮化镓正面攻击硅功率MOSFET器件

目前的氮化镓场效应晶体管在尺寸及性能方面以飞快的速度发展,而目前为业界树立基准的氮化镓器件的性能还可以提升多300倍。

最早采用氮化镓器件的应用是利用氮化镓的超快速开关速度,例如面向全自动驾驶汽车和无人机的激光雷达系统、机械人,以及4G/LTE基站。氮化镓器件的产量一直在增加,而其价格跟开关速度更慢、尺寸更大型和日益陈旧的MOSFET器件相约。因此,目前正是氮化镓器件正面攻击MOSET的时候!。

Bodo’s Power System
2019年6月
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车规级80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷达系统看得更清晰

车规级80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷达系统看得更清晰

宜普电源转换公司(EPC)进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管,该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。

宜普电源转换公司(EPC)宣布再多一个车用氮化镓(eGaN)器件(80 V的EPC2214)成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。

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氮化镓技术可以提升面向服务器及汽车应用的48 V DC/DC 功率转换的效率

氮化镓技术可以提升面向服务器及汽车应用的48 V DC/DC 功率转换的效率

宜普电源转换公司(EPC)推出两个全新100 V氮化镓器件,可以支持服务器及汽车应用的48 V转换的要求。 我将在处理器、车用及能量存储系统等方面探讨48 V服务器的功率转换解决方案(可参考我的文章 “双向DC/DC电源供电: 我们应该如何取向?”),未来将在EDN文章中看到。氮化镓功率晶体管必需是这些不同架构的一部分 -- 我相信没有其它更优越的元件可以替代氮化镓器件了 。

Planet Analog
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分类: 技术文章

Efficient Power Conversion (EPC) to Showcase Industry-Leading Performance in High Power Density DC-DC Conversion and Multiple High-Frequency Applications Using eGaN Technology at APEC 2019

Efficient Power Conversion (EPC) to Showcase Industry-Leading Performance in High Power Density DC-DC Conversion and Multiple High-Frequency Applications Using eGaN Technology at APEC 2019

EPC will exhibit live demonstrations showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for entire industries including computing, communications, and automotive.

EL SEGUNDO, Calif. — March 2019 — The EPC team will be delivering eleven technical presentations on gallium nitride (GaN) technology and applications at APEC 2019 in Anaheim, California from March 17th through the 21st. In addition, the company will demonstrate its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are enabled by eGaN technology.

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宜普电源转换公司(EPC)的第十阶段可靠性测试报告的亮点是 车规级氮化镓器件超越AEC-Q101应力测试的认证标准

宜普电源转换公司(EPC)的第十阶段可靠性测试报告的亮点是 车规级氮化镓器件超越AEC-Q101应力测试的认证标准

第一至第九阶段可靠性测试报告后,EPC公司的 第十阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对超过30,000个元件进行了超过1,800万小时的应力测试后,没有器件发生故障。在过去的两年间,我们所付运的数百万个元件没有发生现场失效的情况。

宜普电源转换公司(EPC)发布第十阶段可靠性测试报告,成功通过车规级AEC-Q101应力测试认证。AEC-Q101认证要求功率场效应晶体管符合最高的可靠性标准,不仅仅要求器件符合数据表内所载的条件而没有发生故障,也同时要求在应力测试中,具有低漂移。请注意,EPC所采用的晶圆级芯片规模封装(WLCSP)也符合所有针对传统封装的测试标准,展示出该封装具备卓越性能之同时没有影响到器件的稳固性或可靠性。

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车规级eGaN FET使得激光雷达系统看到更清晰、更高效, 并且降低48 V车用功率系统的成本

车规级eGaN FET使得激光雷达系统看到更清晰、更高效, 并且降低48 V车用功率系统的成本

宜普电源转换公司(EPC)进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 再多两个产品成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。

宜普电源转换公司(EPC)宣布再多两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。EPC2206EPC2212 是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、分别是80 VDS 和100 VDS的分立晶体管。

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