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EPC: Ahead of the Pack

EPC: Ahead of the Pack

EPC's chief executive, Alex Lidow, believes his GaN devices now beat silicon on performance and price, reports Rebecca Pool.

For EPC chief executive, Alex Lidow, this year's PCIM Europe 2019 has been all about applications. Presenting myriad enhanced-mode GaN FETs and ICs in end-products, the company is making a big play for 48 V DC-DC power conversion in advanced computing and automotives.

Compound Semiconductor
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分类: 技术文章

Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors

Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors
The increase in switching speed offered by GaN transistors requires good measurement technology, as well as good techniques to capture important details of high-speed waveforms. This article focuses on how to leverage the measurement equipment for the user’s requirement and measurement techniques to accurately evaluate high performance GaN transistors. The article also evaluates high bandwidth differential probes for use with non-ground-referenced waveforms. EDN Network By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij Read article 阅读全文
分类: 技术文章

基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068开发板,可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器。这些开发板专为功率系统设计师而设,对氮化镓晶体管的优越性能进行评估方面提供了简易方法,使得设计师的产品可以快速量产。三块开发板都配备了具有零QRR、同步自举整流器的栅极驱动器,从而在高达15 MHz的高频工作条件下可以提高效率。该些开发板在降压转换器及D类放大器配置的最大输出电流为2.7 A。在整个电流范围都可以降低损耗。

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宜普电源转换公司(EPC)推出专为电信、工业及医疗应用而设、具宽泛的输入电压范围、20 A输出电流并基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板

宜普电源转换公司(EPC)推出专为电信、工业及医疗应用而设、具宽泛的输入电压范围、20 A输出电流并基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板
EPC9118演示板展示采用具高频开关优势、电源电压在48 V或以上的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)可易于实现更小型及具更高效率的电源转换解决方案。 宜普电源转换公司推出全功能降压型功率转换演示电路-- EPC9118演示板,可支持30 V至60 V输入电压并转至5 V、 具20 A最高输出电流及400 kHz频率的降压转换器。它采用EPC2001 及EPC2015增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(FET)及LTC3891降压控制器。这个降压转换器设计是电信、工业及医疗应用所需的配电解决方案的理想设计。 EPC9118演示板在小型版图上(1” x 1.3”)包含全功率级(包括氮化镓场效应晶体管、驱动器、电感器及输入/输出电容),可实现的性能与氮化镓场效应晶体管并配合一个传统MOSFET控制器相同。EPC9118演示板是一块2.5”的方块,已包含使用经过优化的控制环路的全闭环降压转换器。 演示板虽然小型,它的峰值效率超过93%, 可在36 V输入电压转至5 V时实现20 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)、电源效率为96%的1MHz降压转换器演示板

EPC9107 演示板展示如何使用具备高开关频率的氮化镓功率晶体管以缩小尺寸及提高电源转换效率 宜普公司在二零一三年五月宣布推出全功能降压电源转换演示板(EPC9107)。该板展 示输入电压为9V至28V、当电源电压为3.3V时可提供15 A的电流的1 MHz降压转换器,内含EPC2015氮化镓场 效应晶体管,并配合德州仪器公司的100 V半桥栅极驱动器(LM5113)。当使用了这个专为驱动氮化镓晶体管而设的驱 动器,EPC9107 展示具有高开关频率的氮化镓场效应晶体可实现缩小尺寸及提高性能等优势。 EPC9107演示板的面积为3平方英寸,内含全闭环降压转换器,并具备经过优化的控制环路,而放置在仅半英寸x半英寸极紧凑的版图上的全功率级,包含了氮化镓 场效应晶体管、驱动器、电感及输入/输出电容,以展示使用氮化镓场效应晶体管并在配备驱动氮化镓器件的驱动器LM5113的条件下可实现的卓越性能。 演示板虽然细小,其最大电源效率超过96%,当电源电压为3.3V时可以提供15A的电流。为帮助设计工程师, 我们设计这个易于安装的演示板并具备多个探测点, 以便测量简单的波形和计算效率。 随EPC9107演示板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf, ... 阅读全文
分类: 新闻稿

The eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: Part 2 – Drivers, Layout

eGaN FETs differ from silicon MOSFETs in part because of their significantly faster switching speeds. In the second article of this series, we explore the different requirements for gate drive, layout, and thermal management.

By Johan Strydom PHD, Director of Application Engineering, EPC
Power Electronics Technology
January 1, 2011

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