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EPC新推80 V和200 V eGaN FET,扩大其高性能eGaN系列的产品阵容

EPC新推80 V和200 V eGaN FET,扩大其高性能eGaN系列的产品阵容

这些新一代氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 满足了目前电动出行(eMobility)、交付和物流机器人,以及无人机市场所需的紧凑型 BLDC 电机驱动器和具成本效益、高分辨率的飞行时间(ToF)的新需求。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)扩大eToF 激光驱动器IC系列, 助力扩增实境(AR)的发展

宜普电源转换公司(EPC)扩大eToF 激光驱动器IC系列, 助力扩增实境(AR)的发展

宜普电源转换公司(EPC)宣布扩大氮化镓(GaN)集成电路(IC)系列,实现性能更高、更小巧且采用飞行时间(ToF)技术的激光雷达应用,包括机器人、无人机、3D传感器,电玩和自动驾驶汽车等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出激光驱动器IC(EPC21603),在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管、栅极驱动器和LVDS逻辑电平输入,面向飞行时间(ToF)激光雷达系统,用于机器人、无人机、扩增实境和电玩等应用。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)eToF 激光驱动器IC 助力革新激光雷达系统设计

宜普电源转换公司(EPC)eToF 激光驱动器IC 助力革新激光雷达系统设计

宜普电源转换公司(EPC)推出首个氮化镓(GaN)集成电路(IC)系列,实现性能更高、更小巧且采用飞行时间(ToF)技术的激光雷达应用,包括机器人、无人机、3D传感器和自动驾驶汽车等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出激光驱动器IC(EPC21601),在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管、栅极驱动器和3.3 V逻辑电平输入,面向飞行时间(ToF)激光雷达系统,用于机器人、监控保安系统、无人机、全自动驾驶汽车和吸尘器。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)于全数字国际消费电子展(CES) 展示基于氮化镓技术的消费电子应用

宜普电源转换公司(EPC)于全数字国际消费电子展(CES) 展示基于氮化镓技术的消费电子应用

欢迎您与氮化镓(GaN)技术专家一起在CES的EPC虚拟展台中,探索基于更高效、更小尺寸和更低成本的氮化镓场效应晶体管和集成电路的解决方案,如何增强消费电子产品的功能和性能。

宜普电源转换公司(EPC)宣布在1月11日至14日举行的全数字国际消费电子展(CES)展示其eGaN®技术如何改变了消费电子应用的游戏规则并提高产品性能,包括全自动驾驶汽车、电动交通、无人机、机器人和48 V功率转换等应用。

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分类: 新闻稿

Integrated GaN Power Stage for eMobility

Integrated GaN Power Stage for eMobility

Brushless DC (BLDC) motors are a popular choice and are finding increasing application in robotics, drones, electric bicycles, and electric scooters. All these applications are particularly sensitive to size, weight, cost, and efficiency. A monolithically integrated GaN power stage is demonstrated powering a 400 W capable BLDC motor with low switching losses and significant savings in size and weight.

Power Electronics Europe
May, 2020
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分类: 技术文章

What GaN circuits can do for wireless charging

What GaN circuits can do for wireless charging

In this short video, EPC's Alex Lidow explains why GaN FETs may make it possible to wirelessly charge a variety of vehicles, including flying drones. Wireless charging circuits employing GaN FETs work at 13.56 MHz, a switching frequency difficult to reach with ordinary silicon FETs. The GaN transistors used are also five to ten times smaller than silicon devices able to handle the same power levels.

Design World
April 11, 2016
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分类: 技术文章

2016年APEC研讨会:在功率研讨会上,工程师分享他们的真知灼见

2016年APEC研讨会:在功率研讨会上,工程师分享他们的真知灼见

您可能阅读过ECN杂志编辑(及新闻总监)所写的关于幕后故事的推文,以及一张照片可比千言万语表达得更好。可是,有的时候,听听工程師分享他們的感想及真知灼見可以是更有价值的体验。

我就是这么想,在加州Long Beach举行的APEC会议上,与多位工程师及与会者见面以找出本届APEC的内幕消息。我们比较了APEC与去年研讨会的盛况、目前业界的主要发展方向及各公司对APEC研讨会的评价。

ECNMag.com
作者:Kasey Panetta
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分类: 技术文章