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中压氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的成本在三年前已经比等效额定功率MOSFET器件的成本更低。当时，EPC公司决心利用氮化镓场效应晶体管的性能及成本效益优势，积极研发及支持48 V输入或输出的应用。车用及计算机应用的48 V 转换逐渐成为全新的架构，也成为了功率系统的全新标准。
Power Systems Design
2020年3月31日
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The EPC2050 offers power systems designers a 350 V, 65 mΩ, 26 A power transistor in an extremely small chip-scale package. These new devices are ideal for applications such as multi-level converters, EV charging, solar power inverters, and motor drives.
EL SEGUNDO, Calif. — April 2018 — Efficient Power Conversion announces the EPC2050, a 350 V GaN transistor with a maximum RDS(on) of 65 mΩ and a 26 A pulsed output current. Applications include EV charging, solar power inverters, motor drives, and multi-level converter configurations, such as a 3-level, 400 V input to 48 V output LLC converter for telecom or server power supplies.
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