EL SEGUNDO, Calif. — December 2020 — BrightLoop Converters has greatly reduced the size, cost and improved reliability of its latest BB SP DC-DC buck converters thanks to Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) EPC2029 enhancement-mode gallium nitride (eGaN^®) FET transistors. By switching from silicon (Si) transistors to gallium nitride (GaN), BrightLoop was able to increase the switching frequency of their design from 200 kHz to 600 kHz, while keeping the same efficiency. This design change increased the power density of the solution by a factor of approximately two and this resulted in lower cost by enabling the implementation of a smaller enclosure.

EPC’s EPC2029 is an 80 V, 48 A eGaN^® FET featuring a 1 mm ball pitch. The wider pitch allows for placement of additional and larger vias under the device to enable high current carrying capability despite the extremely small 2.6 mm x 4.6 mm footprint.

面向高功率密度且低成本的DC/DC转换，EPC9151功率模块利用EPC2152 ePower™功率级实现性能更高和尺寸更小的解决方案。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9151，这是一款300 W、双向、超小尺寸的1/16砖型DC/DC降压转换器模块，其尺寸仅为33 mm x 22.9 mm (1.3”x 0.9”)。EPC9151采用Microchip公司的数字信号控制器（dsPIC33CK）和EPC公司的 ePower™ 功率级集成电路（EPC2152），于300 W、48 V/12 V的转换器中，可以实现95％以上的效率，而且可以在这个可扩展的两相设计中增加相数，使得功率可以更高。

美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的数字信号控制器（DSC）与宜普电源转换公司（EPC）的超高效氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）的结合，可实现最佳功率密度（730 W/in³），从而实现高效、低成本的DC-DC转换。

EPC公司宣布推出1/16砖式、300 W DC/DC稳压器（EPC9143）。 EPC9143功率模块把Microchip dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（EPC2053）集成在一起，实现25 A、48 V/12 V和96％效率的功率转换。

宜普电源转换公司（EPC）推出两个全新100 V氮化镓器件，可以支持服务器及汽车应用的48 V转换的要求。 我将在处理器、车用及能量存储系统等方面探讨48 V服务器的功率转换解决方案（可参考我的文章 “双向DC/DC电源供电: 我们应该如何取向？”），未来将在EDN文章中看到。氮化镓功率晶体管必需是这些不同架构的一部分 -- 我相信没有其它更优越的元件可以替代氮化镓器件了 。

Planet Analog
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EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN^® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

专为功率系统设计师而设的EPC2052功率晶体管是一种100 V、13.5 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管，可实现74 A脉冲输出电流。面向48 V-12 V DC/DC功率转换器，这些新一代氮化镓场效应晶体管工作在500 kHz频率下，可实现超过97%的效率。如果工作在1 MHz时，则实现超过96%的效率。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(R_DS(on))为13.5 mΩ及脉冲输出电流高达74 A 以支持高效功率转换。

继第一至第九阶段可靠性测试报告后，EPC公司的 第十阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对超过30,000个元件进行了超过1,800万小时的应力测试后，没有器件发生故障。在过去的两年间，我们所付运的数百万个元件没有发生现场失效的情况。

宜普电源转换公司（EPC）发布第十阶段可靠性测试报告，成功通过车规级AEC-Q101应力测试认证。AEC-Q101认证要求功率场效应晶体管符合最高的可靠性标准，不仅仅要求器件符合数据表内所载的条件而没有发生故障，也同时要求在应力测试中，具有低漂移。请注意，EPC所采用的晶圆级芯片规模封装（WLCSP）也符合所有针对传统封装的测试标准，展示出该封装具备卓越性能之同时没有影响到器件的稳固性或可靠性。

In this conference GaN market and technology status will be addressed and its future evolution will be debated by mixing visions from designers, manufacturers, and end users.

EL SEGUNDO, Calif. — January 2019 — Efficient Power Conversion (EPC) is joining forces with Yole Développement (Yole) and SEMI to sponsor the first ever ‘GaN Con,’ an industry networking event covering the entire power GaN industry from manufacturers to end users. The theme of GaN Con is “Power GaN: From promises to possible market explosion” and is focused on the emerging GaN market and the state-of-the-art for its underlying technology.

作为为支持DC/DC、激光雷达（LiDAR）、无线电源应用等方面不断扩大的客户群进行扩展的一部分，宜普电源转换公司（EPC）扩大了其在亚洲的团队，增加的新成员将与整个亚太地区21个地区的客户保持密切联系。

2018年11月28日— 为了支持在亚太地区正在加速的销售增长，宜普电源转换公司（EPC）宣布扩大亚太地区的销售和FAE团队，以支持其不断扩大的客户群，积极获取全新的业务发展及抓住全新的市场商机。