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GaN ePower™ Ultrafast Switch with Integrated Gate Driver for Indirect Time-of-Flight Laser Drivers

GaN ePower™ Ultrafast Switch with Integrated Gate Driver for Indirect Time-of-Flight Laser Drivers

Gallium nitride FETs have continued to gain traction in many power electronic applications, but GaN technology is still in the early part of its life cycle. While there is much room to improve basic FET performance figures of merit an even more promising avenue is the development of GaN power ICs.

Bodo’s Power Systems
November, 2020
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分类: 技术文章

学习利用氮化镓(GaN)技术设计最先进的人工智能、机械人、无人机、 全自动驾驶汽车及高音质音频系统

学习利用氮化镓(GaN)技术设计最先进的人工智能、机械人、无人机、 全自动驾驶汽车及高音质音频系统

EPC公司进一步更新了其广受欢迎的教育视频播客系列,上载了6个视频,针对器件可靠性及基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的各种先进应用,包括面向人工智能的高功率密度运算应用,面向机械人、无人机及车载应用的激光雷达系统,以及D类放音频放大器。

宜普电源转换公司(EPC)更新了其广受欢迎的“如何使用氮化镓器件”的视频播客系列。刚刚上载的六个视频主要分享实用范例,目的是帮助设计师利用氮化镓技术设计面向人工智能服务器及超薄笔记本电脑的先进DC/DC转换器、面向机械人、无人机及全自动驾驶汽车的激光雷达系统,以及实现有可能是具有最高音质的音频系统

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出基于车规级氮化镓(eGaN)技术的飞行时间(ToF)演示板,可在高达28 A并具1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光

宜普电源转换公司(EPC)推出基于车规级氮化镓(eGaN)技术的飞行时间(ToF)演示板,可在高达28 A并具1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光

EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)可支持大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒,从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板(EPC9144)。

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分类: 新闻稿