新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

It's Time to Rethink Power Semiconductor Packaging

It's Time to Rethink Power Semiconductor Packaging

When the issue invariably turns to the packaging of the power semiconductor – transistor, diode, or integrated circuit – the requests for improvement fall into six categories:

1. Can you make the package smaller?
2. Can you reduce the package inductance?
3. Can you make the product with lower conduction losses?
4. Can you make the package more thermally efficient?
5. Can you sell the product at a lower price?
6. Can you make the package more reliable?

阅读全文
分类: 技术文章

采用芯片级封装的氮化镓(GaN)晶体管改善系统的热性能

采用芯片级封装的氮化镓(GaN)晶体管改善系统的热性能

随着功率转换器需要更高的功率密度,晶体管必须配合不断在缩减的电路板面积。氮 化镓(GaN)功率晶体管除了可以提高电源效率外,它们也必须具备更高的热效率。在 这篇文章中,我们探讨采用芯片级封装的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN ®FET) 的热性能,并与最先进的Si MOSFET比较两种器件的电气性能和热性能。

Bodo's China
2016年10月
阅读全文

阅读全文
分类: 技术文章

Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors

Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors
With power converters demanding higher power density, transistors must be accommodated in an ever decreasing board space. Beyond gallium nitride based power transistors’ ability to improve electrical efficiency, they must also be more thermally efficient. This article evaluates the thermal performance of chip-scale packaged eGaN® FETs and compares their in-circuit electrical and thermal performance with state-of-the-art silicon MOSFETs. Bodo’s Power Systems David Reusch, Ph.D. and Alex Lidow, Ph.D. June 1, 2016 Read article 阅读全文
分类: 技术文章

Paultre on Power Podcast播客 -宜普电源转换公司Alex Lidow分享氮化镓市场的发展情况

作者:Power Systems Design杂志编辑主任Alix Paultre
日期:2014年1月21日

宜普电源转换公司创办人、首席执行官及HEXFET功率MOSFET器件的共同发明者Alex Lidow与Power Systems Design杂志Alix Paultre分享氮化镓技术目前的市场发展情况及它的未来发展。详情请浏览 http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power-alex-lidow-of-epc-on-the-state-of-the-gan-marketplace-podcast

阅读全文
分类: 访问文稿

高频功率转换器件的封装的考虑因素

在开关频率10 MHz或以上,电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件,由于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)提供无可匹敌的器件性能及封装,因此可以在高频时提高电源转换效率。

Bodo’s Power Systems
客席编辑: Alex Lidow
2013年11月

阅读全文
分类: 技术文章

无封装高电子迁移率晶体管可实现高效功率转换

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。

杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月

阅读全文
分类: 技术文章
RSS

新闻存档