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宜普公司推出升级版的开发板,内含增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及德州仪器公司专为驱动氮化镓器件而设的栅极驱动器

EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料,使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含增强型氮化镓场场效应晶体管的EPC9005开发板,展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转而采用氮化镓技术。 EPC9005开发板是一种7 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖

1/3/2012 德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖。该著名行业杂志的读者皆为电子设计工程师,经过编辑评审过千于2011年发布的产品,选出于以下各方面表现优胜的产品:创新设计、于技术或应用方面取得重大发展及具成本和性能超卓优势。 德州仪器推出业界首款针对增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的驱动器。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,由于具有较低的导通电阻(Rdson)、栅极电荷(Qg)以及超小的体积,增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度,但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。国半的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战,使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。 “我们衷心祝贺德州仪器荣获这个殊荣。LM5113桥式驱动器为设计工程师提供一个确实的plug & play解决方案,加速业界采用eGaN ®FET及其普及化。LM5113释放了eGaN FET的效能优势,帮助设计工程师实现功率及系统密度方面的全新性能基准。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow ... 阅读全文
分类: 新闻稿

专用驱动器可发挥出增强型GaN FET的最佳性能 2011年6月28日13:38 发布

众所周知,宜普电源转换公司(EPC)推出商用化增强型硅基氮化镓场效应晶体管(宜普称之为eGaN FET)产品已经超过一年多时间了。目前宜普公司正在与合作伙伴一起实现eGaN FET的专用驱动器,使其可以工作在更高电压、更低栅极电荷条件下,仍具更低的RDS(ON),以及没有反向恢复损耗(QRR)——所有这些特性都在比硅产品更小的裸片面积上实现。相比硅MOSFET,eGaN FET实际上可以显著提升品质因数(FOM)。

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011

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National Semiconductor Introduces Industry’s First 100V Half-bridge Gate Driver for Enhancement-mode Gallium-Nitride Power FETs

National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 ... 阅读全文
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