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Best Practices for Integrating eGaN FETs

Best Practices for Integrating eGaN FETs

Best design practices utilize the advantages offered by eGaN FETs, including printed circuit board (PCB) layout and thermal management. As GaN transistor switching charges continue to decrease, system parasitics must also be reduced to achieve maximum switching speeds and minimize parasitic ringing typical of power converters.

Power Electronics
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氮化镓器件与硅功率器件比拼第十三章第二部分:最优化的印刷电路板版图

与基于传统MOSFET的设计相比,基于氮化镓场效应晶体管的负载点降压转换器能够通过优化印刷电路板的版图而减少寄生电阻,从而提高效率、加快开关速度及减少器件的过冲电压。

详情请浏览http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout

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分类: 技术文章

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)与硅功率器件比拼第十三章、第一部分: 寄生电感对采用不同器件的转换器在性能方面的影响

作者:宜普公司产品应用总监David Reusch博士

在不同的应用里与硅MOSFET器件相比,增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数,因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用(工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下),寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。

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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第12章 – 优化死区时间

杂志 :Power Electronics Technology
作者 :宜普电源转换公司应用副总裁Johan Strydom博士
日期 :2013年1月

我们在之前的文章讨论氮化镓场效应晶体管与硅器件相同之处,并可以利用 量度性能的相同标准来评估它。虽然根据大部分的量度标准结果可以看到,氮化镓场效应晶体管的表现更为优越,但氮化镓场效应晶体管的体二极管前向电压比 MOSFET较高及在死区时间内可以是高功率损耗的元件。体二极管前向导通损耗 并不构成在死区时间内产生的全部损耗,而二极管反向恢复及输出电容损耗也很重要。本章讨论管理死区时间及工程师需要把死区时间损耗减至最低。

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