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EPC公司进一步更新了其广受欢迎的 氮化镓(GaN)功率晶体管及集成电路的播客系列

EPC公司进一步更新了其广受欢迎的 氮化镓(GaN)功率晶体管及集成电路的播客系列

宜普电源转换公司(EPC)依据《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》第三版教科书的增订内容,更新了首7个、合共14个教程的视频播客,与工程师分享采用氮化镓场效应晶体管及集成电路的理论、设计基础及应用,例如激光雷达、DC/DC转换及无线电源等应用。

宜普电源转换公司(EPC)更新了其广受欢迎的“如何使用氮化镓器件”的视频播客系列。该视频系列的内容是依据最新出版的《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》.第三版教科书的内容制作。合共14个教程的视频播客系列旨在为功率系统设计工程师提供技术基础知识及针对专有应用的工具套件,从而让工程师学习如何采用氮化镓晶体管及集成电路,设计出更高效的功率转换系统。

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分类: 新闻稿

Practical Layout Techniques to Fully Extract the Benefits of eGaN FETs

Practical Layout Techniques to Fully Extract the Benefits of eGaN FETs

The trend for electronics is to continually push towards miniaturization while increasing performance. With silicon MOSFET technology fast approaching its theoretical limit, enhancement mode gallium nitride (eGaN®) FETs from EPC have emerged to offer a step change improvement in power FET switching performance, enabling next generation power density possibilities by decreasing size and boosting efficiency. This article will explore the recommended layout techniques required to fully extract the benefits of EPC’s eGaN FETs.

By: Ivan Chan & David Reusch, Ph.D.
EEWeb –Modern Printed Circuits
August, 2015
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分类: 技术文章

如何使用氮化镓器件: 驱动氮化镓场效应晶体管及版图方面的考虑

本专栏已经讨论了氮化镓场效应晶体管的优势及与硅MOSFET器件相比, 它们具备可以实现更高效率及开关速度的潜力。 本章将讨论使用氮化镓场效应晶体管时,在驱动器及版图方面的考虑,以提高性能。

EEWeb
八月份: 驱动氮化镓场效应晶体管及版图方面的考虑

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分类: 技术文章

氮化镓器件与硅功率器件比拼第十三章第二部分:最优化的印刷电路板版图

与基于传统MOSFET的设计相比,基于氮化镓场效应晶体管的负载点降压转换器能够通过优化印刷电路板的版图而减少寄生电阻,从而提高效率、加快开关速度及减少器件的过冲电压。

详情请浏览http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout

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分类: 技术文章

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)与硅功率器件比拼第十三章、第一部分: 寄生电感对采用不同器件的转换器在性能方面的影响

作者:宜普公司产品应用总监David Reusch博士

在不同的应用里与硅MOSFET器件相比,增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数,因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用(工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下),寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。

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分类: 技术文章