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宜普电源转换公司荣获2020全球电子成就奖 -- 年度杰出贡献人物奖

宜普电源转换公司荣获2020全球电子成就奖 -- 年度杰出贡献人物奖

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路的全球行业领先供应商,其首席执行官兼共同创办人Alex Lidow博士于2020全球电子成就奖(WEAA)评选中,荣获年度杰出贡献人物奖。

全球电子成就奖旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者,以及在业界处于领先地位的产品。由ASPENCORE全球资深产业分析师组成的评审委员会以及各地区(亚洲、美国、欧洲)网站用户群进行综合评定共同评选出得奖者。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)的两个车规级氮化镓晶体管(EPC2202及EPC2203)成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证,推动一系列面向车用及其它严峻环境的应用的发展。

宜普电源转换公司(EPC)的第一批通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证的氮化镓场效应晶体管(EPC2202EPC2203),荣获《今日电子》杂志与21IC中国电子网颁发2018年度“Top-10电源产品奖—技术突破奖”。该奖项在2018年9月13日于北京举行的21iC电源技术研讨会上颁发。

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分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) eGaN Transistor Wins 2017 Impact Award from Electronics Component News Magazine

Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) eGaN Transistor Wins 2017 Impact Award from Electronics Component News Magazine

EPC2040, an eGaN® power transistor optimized for LiDAR applications, placed first in the Passive Components & Discrete Semiconductors category of ECN magazine’s prestigious 2017 Impact Award.

EL SEGUNDO, Calif — November  2017 Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) is proud to announce that Electronic Component News (ECN) — a leading trade publication for electronic design engineers — has awarded the EPC2040, enhancement mode gallium nitride (eGaN) transistor its ECN Impact Award for 2017 in the Passive Components and Discrete Semiconductors category.

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》/21IC中国电子网 2017年度“Top10电源产品–最佳应用奖”

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》/21IC中国电子网 2017年度“Top10电源产品–最佳应用奖”

面向全新及目前由MOSFET支持的应用的最新EPC氮化镓(eGaN®)晶体管及集成电路系列,在提升性能及降低成本方面实现质的飞跃。

E宜普电源转换公司(EPC)第五代氮化镓(eGaN)晶体管及集成电路系列荣获《今日电子》与21IC中国电子网颁发2017年度“Top10电源产品—最佳应用奖”。该奖项在2017年9月15日于北京举行的电源技术研讨会上颁发。

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分类: 新闻稿

EPC9121--10 W多模无线充电演示系统 荣获《今日电子》/21IC媒体颁发 “年度Top10电源产品--技术突破奖”

EPC9121--10 W多模无线充电演示系统 荣获《今日电子》/21IC媒体颁发 “年度Top10电源产品--技术突破奖”

具备优越特性的eGaN®FET与集成电路可以实现较低成本、采用单个功率放大器及采用任何标准的接收器的无线充电解决方案

宜普电源转换公司(EPC)多模无线充电演示系统(EPC9121)荣获《今日电子》与21IC中国电子网颁发2016“年度Top10电源产品--技术突破奖”。该奖项表彰于技术或应用方面有重大进步,并且能够引领业界的技术发展趋势。该奖项在2016年9月8日于北京举行的电源技术研讨会上颁发。

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分类: 新闻稿

EPC CEO Alex Lidow Receives 2015 SEMI Award for North America

EPC CEO Alex Lidow Receives 2015 SEMI Award for North America

Award Recognizes Innovation in Power Device Technology for Enabling the Commercialization of GaN

EL SEGUNDO, Calif, — January 2016 — Today, Efficient Power Conversion (EPC) announced that its CEO Alex Lidow was selected as the recipient of the 2015 SEMI Award for North America for the innovation of power device technology, enabling the commercialization of GaN. Dr. Lidow is being honored for his work in the area of Process and Technology Integration.

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分类: 新闻稿

EPC received the Readers’ Choice Company of the Year award from Powerpulse.net

EPC received the Readers’ Choice Company of the Year award from Powerpulse.net

According to Powerpulse.net, “This selection is based on EPC's domination of the 50 most-read product news stories for 2015. EPC products account 8 of the top 50 product stories for 2015 (as measured by readership). This is the first time that a single company has accounted for such a large number of product news stories (that amounts to 2 per quarter), including 1 in the Top 10 and 5 in the Top 20.”

PowerPulse.net
January 4, 2016
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分类: 技术文章

宜普电源转换公司的单片式eGaN半桥晶体管系列 荣获《Electronic Products》杂志颁发 2014年「年度产品大奖」

宜普电源转换公司的单片式eGaN半桥晶体管系列 荣获《Electronic Products》杂志颁发 2014年「年度产品大奖」

单晶片半桥式氮化镓功率晶体管EPC2100获得著名电子杂志颁发「年度产品大奖」,在竞争激烈的分立式半导体产品类别中被评选为极具创新性的产品。

宜普电源转换公司(EPC)的单片半桥式硅基氮化镓(eGaN®)功率晶体管荣获《Electronic Products》杂志颁发2014年「年度产品大奖」。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司的氮化镓技术荣获电子技术设计杂志十周年创新技术优秀奖

作为硅MOSFET器件的替代技术,宜普电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管技术荣获业界著名杂志颁发创新技术优秀奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)荣获EDN China(电子技术设计杂志)颁发十周年创新奖 --影响未来的十大创新技术类别中的「创新技术优秀奖」。电子技术设计杂志创新奖为业界共同树立技术、产品及公司创新基准。该奖项通过全球电子设计工程师及经理网上投票(40%)、专家评审(30%)及编辑评选(30%)而得出结果。创新奖十周年颁奖典礼在6月26日于上海举行。

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow称「我们非常荣幸宜普公司的氮化镓技术(eGaN)获得业界著名杂志颁发创新技术优秀奖,尤其是这项殊荣的部分结果是由全球工程师推举而来。功率设计工程师认同增强型氮化镓晶体管具快速开关、高效、小尺寸及极具成本效益等优势,可引领业界继续替代硅MOSFET器件的进程。」

关于电子技术设计杂志及创新奖

电子技术设计杂志(EDN China)十周年创新奖于二零一四年举行,设有九个主要类别,共收到从全球超过七十家公司及一百二十八项产品提名。该杂志于超过二十年前创刊,为业界第一本杂志专注于电力电子的设计及作为技术交流的平台。它拥有超过四十万读者注册。关于该杂志的详情请浏览www.ednchina.com

宜普电源转换公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ( [email protected])

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分类: 新闻稿
标签: 奖项

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Market Leading eGaN® Power Transistors Recognized as EDN Magazine Hot 100 Product for 2013

EPC8000 family of gallium nitride FETs give power systems and RF designers access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.

EL SEGUNDO, Calif. — December 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that its EPC8000 family of high frequency eGaN FETs has been recognized with inclusion in the EDN list of 100 Hot Products for 2013.

“We are very excited that EDN, an industry-leading magazine, has recognized our innovative new family of eGaN FETs. These devices take EPC and gallium nitride transistor technology to a level of performance that enables applications that were previously beyond the capability of silicon MOSFETs. The EPC8000 eGaN FETs blur the line between power and RF transistor technology,” said Alex Lidow, EPC’s co-founder and CEO.

These third generation devices have cut new ground for power transistors with switching transition speeds in the sub nano-second range. They are capable of hard switching applications even beyond the 10MHz for which they were designed. These products exhibit very good small signal RF performance with high gain well into the low GHz range, making them a competitive choice for RF applications.

Examples of applications benefiting from the low power, compact, high frequency EPC8000 family of devices include hard-switching power converters operating in the multi-megahertz range, envelope tracking in RF power amplifiers using EPC8005, highly resonant wireless power transfer systems for wireless charging of mobile devices.

About EPC

EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, solar micro inverters, remote sensing technology (LiDAR), and Class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.

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eGaN is a registered trademark of Efficient Power Conversion Corporation, Inc.

Press Contact

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)领先业界的基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的开发板在中国荣获2013年度奖项

基于40V氮化镓场效应晶体管(EPC2014)的EPC9005开发板旨在帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统

宜普公司宣布EPC9005开发板在中国荣获两个媒体颁发2013年度奖项,分别为今日电子杂志颁发2013年度十大电源产品奖的“优化开发奖”及EDN China杂志颁发2013年度中国创新奖的“优秀产品奖”。

“我们感到非常荣幸我司的产品得到今日电子杂志及EDN China杂志颁发2013年度奖项,表彰我们在技术创新方面所做出的努力。基于40 V氮化镓场效应晶体管(EPC2014)的EPC9005开发板可帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统。EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持数据,使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。在此我们再次感谢媒体朋友及工程师一直以来对我们的支持!”宜普公司首席执行官Alex Lidow说。

EPC9005开发板是块2英寸x1.5英寸单板,内含两个EPC2014(40 V)氮化镓场效应晶体管,并在半桥配置采用德州仪器公司的栅极驱动器(LM5113)、电源及旁路电容。板上集成了所有关键组件及版图,以实现最优开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。

详情请浏览我们的网站:

关于今日电子杂志

今日电子杂志/21iC中国电子网为业界领先的电力电子媒体,其第十一届2013年度十大电源产品奖参选范围包括所有电源类产品。评选规则包括评选参评产品在技术或应用方面取得显著进步、具有开创性的设计或性价比显著提高。优化开发奖表彰具有完备开发套件,让工程师迅速掌握并进行二次开发的产品。2013年度颁奖典礼于9月12日在北京功率研讨会上举行。

关于EDN China创新奖

EDN创新奖始创于美国,旨在表彰每年度在IC设计及相关产品所取得的重大成果。到今年已经举办了23届,目前它已经成为北美地区具有强大影响力的电子设计工程类奖项。EDN China于2005年将这一奖项引入了中国,并得到了热烈的响应。经过专家和广大设计工程师的评选,每年都会有一批优秀的产品及公司脱颖而出,在中国市场赢得美誉。EDN China于2013年11月12日在上海浦东假日酒店举办创新奖颁奖典礼,正式宣布由读者、网站会员以及专家评委所评选的2013年度“EDN China 创新奖”的评选结果。当天共有130位来自半导体及技术公司的高层以及资深博主出席颁奖活动及晚宴。

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供货商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器 、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音讯放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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分类: 新闻稿

EPC named a Constant Contact 2012 All Star

EPC is honored to be recognized as a 2012 All Star by Constant Contact. This status is an annual designation that only 10% of Constant Contact customers achieve. It is awarded to companies making extra efforts to engage customers. We would like to thank all who have supported us. If you are not already receiving our newsletter please join our list @ http://bit.ly/qr28tu

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分类: 新闻稿
标签: 奖项

宜普公司的无线电源传送展示系统获得PowerPulse.Net评选为2012年度十大无线充电应用发展

无线充电将于2013年成为于电力电子业界增长迅猛的应用,其主要的发展步伐从2012年起开始加快。PowerPulse.Net编辑评选出十大发展以反映无线充电应用在2013年及之后的重要发展历程。

宜普在2012年8月宣布推出高效无线电源展示系统,它采用了具备高频开关性能的氮化镓晶体管(eGaN® FET),由于该晶体管可以在高频、高压及高功率条件下有效率地工作,所以非常适用于高效无线电源系统。该系统由宜普及WiTricity公司共同开发,为一个在工作频率为6.78 MHz的D类电源系统,能够向负载提供高达15W的功率。使用这个展示系统的作用是可以简化无线电源技术的评估流程。这个系统内的所有主要元件都是易于连接,可以展示无线电源传送如何对器件充电。

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分类: 新闻稿

领先业界的宜普公司氮化镓场效应晶体管获电子设计技术杂志颁发2012年度优秀产品奖

宜普公司(www.epc-co.com) 宣布获得电子设计技术杂志颁发2012年度创新奖(电源器件与模块组别)之优秀产品奖。今年是电子设计技术杂志扎根中国第八个年头,它通过全球电子设计工程师网友及经理的投票与专家选评取得结果,为电子产业内最具影响力和权威的奖项。

宜普公司首席执行官Alex Lidow 说“我们非常荣幸获得电子设计技术杂志颁发奖项,并得到业界工程师的支持,作为在市场的主导产品,EPC2012是我们氮化镓场效应晶体管系列中成员之一,为客户所采用的更高性能并替代硅基MOSFET器件的产品”。

EPC2012器件为第二代200 V、具高频开关及增强性能的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET),并使用无铅以及符合RoHS(有害物质限制)条例的封装。

EPC2012 FET是一款面积为1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件,RDS(ON)最大值是100 mΩ,栅极电压为5 V,脉冲额定电流为15 A,因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

eGaN FET 的设计信息及支持

关于电子设计技术杂志(EDN China)

全球70多家公司的128项产品参加了本届电子设计技术杂志2012年度创新奖“最佳产品奖”的角逐,技术分类包括9 大技术类别 :电源器件与模块、嵌入式系统、微处理器与 DSP、可编程器件、模拟与混合信号 IC、测试与测量、开发工具 与软件、无源器件与传感器,以及通讯与网络IC。此外还颁发了“工程师最喜爱的分销商奖”、“本土创新公司奖”和“创新工程师”奖项。电子设计技术杂志于超过20年前始创为国内第一本专注电子设计及知识交流的平台,目前其网站拥有超过400,000注册用户。详情请浏览www.ednchina.com.

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效LED照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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媒体联系人

Winnie Wong ([email protected])

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宜普电源转换公司被评选为“电子工程专辑 Silicon 60”高新科技新创企业之一

增强型氮化镓场效应晶体管技术的领先供应商 宜普电源转换公司被评选为“电子工程专辑 Silicon 60”高新科技新创企业之一。这些公司是电子工程专辑的编辑团队根据各公司所发展的技术、目标市场、成熟度、财政状况、投资规模和行政人员的领导才能等多种考量标准而评选出来的。

宜普公司首席执行官Alex Lidow说非常荣幸被评选为最热门的新兴电子公司之一,及感谢电子工程专辑对宜普公司的评价为“一家值得关注的新兴企业”。

与先进的 硅功率MOSFET相比,宜普氮化镓场效应晶体管的尺寸更小及器件的开关性能高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管的增强性能的應用包括射频包络跟踪、无线电源传送、高效直流-直流电源、负载点转换器及D类音频放大器。宜普也发布了氮化镓技术的成本将低于硅功率MOSFET及可以替代日益受限、价值几十亿美元的功率MOSFET和IGBT市场的进程。

如欲取得宜普公司氮化镓场效应晶体管产品系列的详尽资料,请浏览 http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、微型逆变器、高效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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标签: 奖项

宜普电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布EPC9102荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖 。

EPC9102 是一个全功能八分之一砖式转换器演示板。这块电路板是一个36 V-60 V 输入、12 V输出、375 KHz相移全桥式(PSFB)八分之一砖式转换器,最大输出电流为17A。EPC9102演示板展示了基于氮化镓场效应晶体管的直流-直流转换器可帮助工程师在业界基准砖式转换器的外形尺寸限制下提高输出功率及功率密度,

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分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Named to EE Times Silicon 60 List of Emerging New Technology Startups

EL SEGUNDO, Calif. – April, 2012 - Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that it has been recognized with inclusion in the EE Times Silicon 60 list of 60 Emerging Startups. Companies are selected by the editorial team at EE Times based on a mix of criteria including: technology, intended market, maturity, financial position, investment profile, and executive leadership.

"It is an honor to receive this recognition from EE Times as one of the hottest emerging electronics companies and as EE Times has noted, 'an emerging company worthy of tracking,'" commented Alex Lidow, CEO, Efficient Power Conversion Corporation.

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分类: 新闻稿

德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖

1/3/2012

德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖。该著名行业杂志的读者皆为电子设计工程师,经过编辑评审过千于2011年发布的产品,选出于以下各方面表现优胜的产品:创新设计、于技术或应用方面取得重大发展及具成本和性能超卓优势。

德州仪器推出业界首款针对增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的驱动器。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,由于具有较低的导通电阻(Rdson)、栅极电荷(Qg)以及超小的体积,增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度,但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。国半的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战,使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。

“我们衷心祝贺德州仪器荣获这个殊荣。LM5113桥式驱动器为设计工程师提供一个确实的plug & play解决方案,加速业界采用eGaN ®FET及其普及化。LM5113释放了eGaN FET的效能优势,帮助设计工程师实现功率及系统密度方面的全新性能基准。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说。

http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx

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分类: 新闻稿

EPC2010获得第七届电子设计技术杂志颁发“中国创新大奖 - 优秀产品奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 宣布EPC2010获得中国电子设计技术杂志(EDN China)颁发2011年度中国创新大奖-优秀产品奖(功率类)。颁奖典礼在2011年12月1日于上海举行。“中国电子设计技术杂志-中国创新奖”在2005年创办,是一项备受业内电子设计工程师和经理推崇和关注的年度活动。

EPC2010为第二代200VeGaN场效应晶体管,具更快开关速度及更卓越性能,不仅环保、不含铅,并且用符合RoHS(有害物质限制)指令的封装。

EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值为25mΩ,栅极施加电压是5V。EPC2010提高脉冲电流额定值至60A(而EPC1010是40A),并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值,电容值也更低。 与具有相同导通电阻值的先进硅功率MOSFET相比,EPC2010体积更小,开关性能更高出许多倍。受益于更高性能eGaN FET的应用很多,其中包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬件开关和高频电路

EPC2010的应用笔记及数据表可以分别点击这里: http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdfhttp://epc-co.com/epc/Products.aspx

“我们感到非常荣幸EPC2010获得EDN China创新奖及被表彰为业界优秀产品。EPC2010是我们的客户用来替代硅基MOSFET的eGaN FET系列的其中一个高性能产品,"宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说。

电子设计技术杂志简介

2011年电子设计技术杂志-中国创新大奖的奖项包括9大技术类别:电源器件与模块、嵌入式系统、微处理器与DSP、可编程器件、模拟与混合信号、测试与测量、开发工具与软件、无源器件与传感器及通信与网络。同时还有评选工程师最喜爱的分销商奖。作为中国首家专注电子设计的媒体,EDN China在国内已有17年历史。ednchina.com 网站的注册用户目前已达40万人。详情请浏览www.ednchina.com

 

 

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN®) FET,其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、蜂窝手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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