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宜普电源转换公司(EPC)发布第十一阶段可靠性测试报告 - 从失效性测试看到氮化镓器件的稳定性比硅功率MOSFET器件更具优势

宜普电源转换公司(EPC)发布第十一阶段可靠性测试报告 -  从失效性测试看到氮化镓器件的稳定性比硅功率MOSFET器件更具优势

第一至第十阶段可靠性测试报告后,EPC公司的第十一阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对受测器件进行超过1230亿元件-小时应力测试,并且展示氮化镓器件的稳定性是硅功率器件所不能实现的。

EPC公司发布第十一阶段可靠性测试报告,与工程师分享受测器件如何实现优越的现场可靠性的策略 - 在广阔测试条件下,采用失效性测试器件(test-to-fail)的反复测试方法,从而知道如何构建更稳固的产品以达到应用所需,例如面向全自动驾驶车辆的激光雷达LTE通信基站、汽车的车头灯及卫星等应用。

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分类: 新闻稿

氮化镓场效应晶体管的安全工作区域

杂志:Bodo's Power Systems
作者:宜普公司产品质量及可靠性总监马艳萍博士

摘要:
本文讨论了相比功率MOSFET器件,氮化镓场效应晶体管具有高电子密度和非常低的温度系数,使它能够在目前的高性能应用中具明显的优势。电子密度产生优异的RDS(ON),而正温度系数防止在芯片内产生发热点,致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在安全工作区域具备优异性能

氮化镓场效应晶体管具有正温度系数, 因而在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下,它具有更卓越的性能而能够解决硅MOSFET器件在性能上的限制。

宜普公司将发布所有氮化镓场效应晶体管在安全工作区域的数据。该器件具有正温度系数, 因而在安全工作区域范围内只有一个小区域受限于器件的平均温度。

安全工作区域的数据可以显示器件在具阻抗的结点的散热能力,其散热能力越高,器件越具更低的热阻,并使器件在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下,具有更卓越的性能而不会发生故障。

与功率MOSFET相比,宜普的氮化镓场效应晶体管在目前的高效应用中具有更卓越的优势,它具有优异的RDS(ON)阻抗值及正温度系数,防止在芯片内产生发热点,致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。

宜普的氮化镓场效应晶体管的安全工作区域的应用手册刊载于: http://epc-co.com/epc/documents/product-training/SafeOperatingArea.pdf 。 此外,宜普公司将更新产品的数据表,包括列明每一个器件在安全工作区域内的性能的曲线图。

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宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、以太网供电、太阳能微型逆变器、能效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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