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How to get 500W in an eighth-brick converter with GaN, part 1

How to get 500W in an eighth-brick converter with GaN, part 1

DC-DC “brick” converters are familiar to many engineers, and have wide usage in telecommunications, networking, data centers, and many other applications. This is due in large part to adoption of a common footprint defined by the Distributed-power Open Standards Alliance (DOSA) and generally accepted input/output voltage ranges. These converters provide isolation and voltage step-down, and have become increasingly sophisticated, with features that enable advanced system optimization and control.

EDN Network
November 23, 2015
By: John Glaser
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分类: 技术文章

基于eGaN FET的1/8砖式DC/DC转换器实现500 W及96.7%效率――EPC推出12 V、42 A输出电流、已调节型的隔离式转换器演示板

基于eGaN FET的1/8砖式DC/DC转换器实现500 W及96.7%效率――EPC推出12 V、42 A输出电流、已调节型的隔离式转换器演示板

EPC9115 DC/DC总线转换器展示出配备专有驱动器的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在一个传统、已调节型的隔离式1/8砖式DC/DC转换器的拓扑可以发挥的优越性能。

宜普电源转换公司推出EPC9115演示板,可支持48 V至60 V输入电压范围并转至12 V、 具备42 A输出电流。它采用EPC2020(60 V) 及EPC2021(80 V)增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管、德州仪器公司的LM5113半桥驱动器及UCC27611低侧驱动器。功率级使用传统的硬开关及300 kHz开关频率的隔离式降压转换器。

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分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion (EPC) to Demonstrate 500 W High Power Density GaN-based Eighth Brick DC-DC Converter at the 2015 Applied Power Electronics and Exposition Conference (APEC)

Efficient Power Conversion (EPC) to Demonstrate 500 W High Power Density GaN-based Eighth Brick DC-DC Converter at the 2015 Applied Power Electronics and Exposition Conference (APEC)

At the IEEE APEC 2015 power electronics industry conference, EPC applications experts will make eight technical presentations on GaN FET technology and applications showing the superiority of GaN transistors compared to silicon power MOSFETs.

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分类: 新闻稿

内含高效氮化镓晶体管的八分之一砖式直流-直流转换器

作者:宜普公司产品应用副总裁Johan Strydom博士
日期:在2012年6月1日刊载于Bodo’s Power Systems杂志

本论文主要在讨论氮化镓晶体管如宜普电源转换公司的eGaN® FET可以提高隔离型八分之一砖式直流-直流转换器的效率。这种电源转换器普遍使用于大型计算机的主机、服务器及通信系统,并具备不同的尺寸、输出功率性能、输入及输出电压范围可供设计工程师考虑。它的模块性、功率密度、可靠性及多功能的特性有助隔离型电源产品的设计。

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的八分之一砖直流-直流电源转换器演示板

EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器的组合所能达到的优异性能。

宜普电源转换公司宣布推出EPC9102演示板,这是一个全功能的八分之一砖转换器演示板。这块电路板就是一个36V-60V输入、12V输出、375kHz相移全桥(PSFB)式八分之一砖转换器,最大输出电流为17A。该演示板内含100V EPC2001 eGaN FET及德州仪器专为驱动eGaN FET而设的半桥栅极驱动器(LM5113)。

LM5113是业界首款能够最佳驱动增强型氮化镓FET、并且能够充分发挥这种FET优势的驱动器。EPC9102演示板展示了当eGaN FET配合德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器,可以实现eGaN FET的高开关频率性能。

这种转换器的结构符合标准八分之一砖的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。尽管这个尺寸比较小,但整个电路板在36V输入电压、10A输出电流条件下,可以达到94.8%的峰值功效。

EPC9102演示电路的设计用于展示使用eGaN FET在375kHz工作时,能够实现得到的尺寸和性能,而设计本身并没有针对最大输出功率进行优化。其工作频率大约比类似商用的八分之一砖DC/DC电源转换器高出50%至100%。

EPC9102演示板的尺寸特别是过大的尺寸,这是方便电源系统设计工程师连接相关的评估平台。演示板上有许多探测点,便于测量简单波形和计算效率。

EPC9102演示板可用在低环境温度和强制空冷条件下的基准评估。随EPC9102演示板一起提供的,还有一份供用户参考和易于使用的快速入门指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf

EPC9102演示板单价为306.25美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为:http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

EPC eGaN FET 及 德州仪器的LM5113 设计工具指南

eGaN FET 设计信息及支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、以太网供电、太阳能微型逆变器、能效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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