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Lidar Demonstration Board Drives Lasers with Currents up to 220 A with Under 3-ns Pulses using eGaN FETs

Lidar Demonstration Board Drives Lasers with Currents up to 220 A with Under 3-ns Pulses using eGaN FETs

The ultra-fast transition EPC2034C eGaN® FETs used on the EPC9150 enables high current pulses up to 220 A and pulse widths under 3 ns, thus allowing a lidar system to see farther, faster, and better.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — Efficient Power Conversion  (EPC) announces the availability of the EPC9150, a 200 V, high current, pulsed-laser diode driver demonstration board. In a lidar system, used to create 3-D maps for autonomous vehicle applications, speed and accuracy of object detection is critical. As demonstrated by this board, the rapid transition capability of the EPC2034C eGaN FETs provide power pulses to drive the laser diodes, VCSELs or LEDs up to ten times faster than an equivalent MOSFET and in a small fraction of the area, energy, and cost. Thus, enhancing the overall performance, including accuracy, precision, and processing speed as well as the price of a lidar system.

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宜普电源转换公司(EPC)推出基于车规级氮化镓(eGaN)技术的飞行时间(ToF)演示板,可在高达28 A并具1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光

宜普电源转换公司(EPC)推出基于车规级氮化镓(eGaN)技术的飞行时间(ToF)演示板,可在高达28 A并具1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光

EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)可支持大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒,从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板(EPC9144)。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

专为功率系统设计师而设的EPC2051功率晶体管是一种100 V、25 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管,可实现37 A脉冲输出电流。EPC2051是多种应用的理想器件,包括48 V功率转换器、激光雷达及LED照明等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on)))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。

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EPC Introduces 350 V eGaN Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon

EPC Introduces 350 V eGaN Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon

The EPC2050 offers power systems designers a 350 V, 65 mΩ, 26 A power transistor in an extremely small chip-scale package.  These new devices are ideal for applications such as multi-level converters, EV charging, solar power inverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2018 — Efficient Power Conversion announces the EPC2050, a 350 V GaN transistor with a maximum RDS(on) of 65 mΩ and a 26 A pulsed output current. Applications include EV charging, solar power inverters, motor drives, and multi-level converter configurations, such as a 3-level, 400 V input to 48 V output LLC converter for telecom or server power supplies.

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同时对手机及笔记本电脑进行无线充电 – EPC公司推出与AirFuel联盟第四级别(Class 4)规格兼容的无线充电演示套件,可对应用提供高达33 W功率

同时对手机及笔记本电脑进行无线充电 – EPC公司推出与AirFuel联盟第四级别(Class 4)规格兼容的无线充电演示套件,可对应用提供高达33 W功率

具备卓越性能的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小型化,成为高度共振式并与AirFuel标准兼容的无线充电系统的理想器件,可提高效率。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出与AirFuel联盟第四级别(Class 4)规格兼容的无线充电套件(EPC9120)。该系统可对应用提供高达33 W功率而同时工作在6.78 MHz频率(最低ISM频段),旨在于高效无线充电应用中,简化对所采用的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)进行评估。EPC9120采用具备高频开关性能的EPC氮化镓晶体管,使得无线充电系统可以在不同的工作条件下,实现80%至90%的效率。

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EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃

EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃

EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),对比前一代的产品,这些晶体管的尺寸减半,而且性能显著提升。

全球增强型氮化镓晶体管领袖厂商、致力于开发创新的硅基功率场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶体管,在提升产品性能之同时也可以降低成本。100 V的EPC2045应用于开放式伺服器架构应用于开放式伺服器架构以实现48 V至负载的单级电源转换、负载点(POL)转换器、USB-C及激光雷达(LiDAR)等应用。200 V 的EPC2047的应用例子包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器

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宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

eGaN®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能,从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管, 可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率

宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管, 可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率

宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管,进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙,使晶体管的占板面积减少50%。

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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向高频应用的 450 V增强型氮化镓功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向高频应用的 450 V增强型氮化镓功率晶体管

宜普电源转换公司为功率系统设计师提供一款具备4奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2027 eGaN® FET)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管(EPC2027),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。

EPC2027器件具备450 V额定电压、400 mΩ最高导通电阻(RDS(on))及4 A输出电流。器件使用含焊条的钝化晶片,从而可以实现高效散热及易于组装。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫米以提高功率密度。

「由于离线式适配器及逆变器愈来愈需要更小型、更轻型及具有更高的功率密度的设计,因此对具备更高压及更快速开关特性的器件的需求与日俱增。采用450 V 的EPC2027晶体管的功率设计工程师可以提高他们的离线式功率转换系统的开关频率,从而实现更高效及更小型的系统。」宜普电源转换公司的共同创始人及首席执行官Alex Lidow说道。

开发板

EPC9044开发板包含采用半桥配置的EPC2027晶体管并含板载栅极驱动器、栅极驱动电源及旁路电容。这块2英寸乘1.5 英寸的开发板使用了可实现最佳开关性能的布局并包含所有重要元件,使得工程师容易对EPC2027氮化镓场效应晶体管进行评估。

产品价格及即时供货详情

EPC2027氮化镓场效应晶体管在批量为一千片时的单价为5.81美元,而EPC9044 开发板的单价为137.75美元,可以立即透过Digi-Key公司订购,网址为 http://www.digikey.com/Suppliers/cn/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zhs

关于氮化镓场效应晶体管的设计信息及技术支持

宜普电源转换公司简介

宜普公司(www.epc-co.com.cn)是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管 直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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宜普电源转换公司(EPC)推出专为电信、工业及医疗应用而设、具宽泛的输入电压范围、20 A输出电流并基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板

宜普电源转换公司(EPC)推出专为电信、工业及医疗应用而设、具宽泛的输入电压范围、20 A输出电流并基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板

EPC9118演示板展示采用具高频开关优势、电源电压在48 V或以上的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)可易于实现更小型及具更高效率的电源转换解决方案。

宜普电源转换公司推出全功能降压型功率转换演示电路-- EPC9118演示板,可支持30 V至60 V输入电压并转至5 V、 具20 A最高输出电流及400 kHz频率的降压转换器。它采用EPC2001 及EPC2015增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(FET)及LTC3891降压控制器。这个降压转换器设计是电信、工业及医疗应用所需的配电解决方案的理想设计。

EPC9118演示板在小型版图上(1” x 1.3”)包含全功率级(包括氮化镓场效应晶体管、驱动器、电感器及输入/输出电容),可实现的性能与氮化镓场效应晶体管并配合一个传统MOSFET控制器相同。EPC9118演示板是一块2.5”的方块,已包含使用经过优化的控制环路的全闭环降压转换器。

演示板虽然小型,它的峰值效率超过93%, 可在36 V输入电压转至5 V时实现20 A输出电流。为了帮助设计工程师,该板容易设置并包含多个探孔,从而易于测量及取得简单的波形图及计算效率。

此外,宜普公司提供快速指南,内容包括设置步骤、电路的方框图、性能曲线图及物料清单(BOM),可在网上下载。

EPC9118 演示板的单价为237.19美元,可透过Digikey在网上购买:http://www.digikey.cn/Suppliers/cn/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zhs

氮化镓场效应晶体管的设计资料及支持

宜普电源转换公司简介

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宜普电源转换公司(EPC)的高性能氮化镓功率晶体管 进一步抛离日益陈旧的功率MOSFET并已有现货供应

氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。

宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。

全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板

宜普产品型号 电压 最高导通电阻
RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉冲电流峰值
Peak PulsedID (A) (25°C,
Tpulse = 300 µs)
TJ (°C) 半桥开发板
          标准 低占空比
EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 550 150 EPC9032  
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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司推出采用高频氮化镓(eGaN)场效应晶体管 并工作在6.78 MHz频率的高效无线电源传送演示系统

由于氮化镓场效应晶体管具备卓越性能例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及尺寸短小,它是高度谐振并符合Rezence (A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件,可提高该系统的效率。

宜普电源转换公司宣布推出采用创新、高性能零电压开关( ZVS) D类放大器拓扑、支持无线电源转换应用的演示板:EPC9506EPC9507 演示板。该板为放大器(发射)演示板,使用宜普公司具高频开关性能的氮化镓晶体管,使得无线电源系统可实现超过75%效率。

无线电源传送

在过去几年间,高度谐振无线电源传送应用日渐受欢迎,尤其是替便携设备充电的应用。最终应用多样化并发展迅速,从替移动装置充电应用、可延长寿命的医疗应用,以至以安全为首务的有害环境等应用都使用无线电源传送的技术茁壮成长。

无线电源转换系统要求晶体管必需高频、纤薄型、在恒常变化的工作条件下坚固稳定及在一些情况下晶体管需要轻便,即整个设计需要高效及快速开关而不带笨重的散热器。此外,设计必需在宽范围不同耦合及负载条件下工作。由于氮化镓场效应晶体管具快速开关性能,因此是高度谐振功率转换应用的理想器件。

放大器演示板(EPC9506/EPC9507)

EPC9506EPC9507演示板为高频、符合A4WP标准、零电压开关(ZVS)、电源模式的D类无线电源传送放大器(发射)演示板,可传送达35 W功率至一个直流负载并工作于达6.78 MHz频率。EPC9506演示板采用40 V氮化镓场效应晶体管(EPC2014),而EPC9507演示板采用100 V氮化镓场效应晶体管(EPC2007)。两块板都可以工作在半桥拓扑(给单终端配置)或全桥拓扑(给differential配置)并含栅极驱动器及震荡器,以确保演示板可于固定频率下工作。

价格及供货

EPC9506EPC9507演示板的售价分别为418.95美元,已经可以供货,客户可透过Digikey购买,网址为http://www.digikey.cn/Suppliers/cn/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zhs

展望未来:宜普公司的全新无线电源传送系统演示套件采用ZVS D类放大器拓扑

单块放大器(发射)演示板已经可以供货。此外,宜普公司将推出一系列系统演示套件, 包括放大器(发射)演示板、一个符合A4WP 第三等级标准的发射线圈(传送线圈),以及一个符合 A4WP 类型3标准的接收线圈并配备整流器及输出滤波电容。

更多信息

如果您对无线电源传送感到兴趣及欲取得进一步信息,包括关于EPC9506EPC9507及即将推出的系统演示套件,请与我们联系http://epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspx,我们可以安排FAE到您公司讲解。

更多关于氮化镓场效应晶体管的应用及设计资料:

宜普电源转换公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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宜普电源转换公司推出专为大电流及具高降压比转换器应用而设的开发板

EPC9016开发板内含40 V增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),是一种25 A最大输出电流并采用并联配置的电路设计,可提高电流能力达67%,其最优版图技术可实现最优化效率。

宜普电源转换公司宣布推出EPC9016采用半桥式配置的开发板,专为采用氮化镓场效应晶体管的大电流、高降压比、降压中间总线转换器(IBC)应用而设。与采用单一高侧(控制)场效应晶体管相比,我们并联了两个低侧(同步整流器)场效应晶体管使得传导时间更长。

与硅MOSFET器件相比,氮化镓场效应晶体管具备超卓的电流共享功能,为理想的可并联工作的晶体管。这块开发板在 最优版图 上进一步发挥采用超低电感封装的氮化镓场效应晶体管的性能。这种最优版图技术提高了效率并同时降低电压过冲及EMI。

EPC9016 开发板的最高电压为40 V、最大输出电流为25 A,使用半桥配置、配以EPC2015 氮化镓晶体管及板载栅极驱动器(LM5113)。该半桥配置含单一顶部器件及两个并联的底部器件,建议用于具有高降压比例的降压转换器应用包括负载点转换器及给非隔离型通信基建使用的降压转换器应用。

EPC9016 开发板是块2英寸x1.5英寸单板,板上集成了所有关键元件及配以最优版图以实现最优开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形及计算效率。

随EPC9016开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的 速查指南,内载有详细资料。

EPC9016开发板的单价为130美元,客户可以透过DigiKey公司在网上直接购买,网址为 http://www.digikey.com/suppliers/us/efficient-power-conversion.page?&lang=en

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

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宜普电源转换公司(EPC)领先业界的基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的开发板在中国荣获2013年度奖项

基于40V氮化镓场效应晶体管(EPC2014)的EPC9005开发板旨在帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统

宜普公司宣布EPC9005开发板在中国荣获两个媒体颁发2013年度奖项,分别为今日电子杂志颁发2013年度十大电源产品奖的“优化开发奖”及EDN China杂志颁发2013年度中国创新奖的“优秀产品奖”。

“我们感到非常荣幸我司的产品得到今日电子杂志及EDN China杂志颁发2013年度奖项,表彰我们在技术创新方面所做出的努力。基于40 V氮化镓场效应晶体管(EPC2014)的EPC9005开发板可帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统。EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持数据,使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。在此我们再次感谢媒体朋友及工程师一直以来对我们的支持!”宜普公司首席执行官Alex Lidow说。

EPC9005开发板是块2英寸x1.5英寸单板,内含两个EPC2014(40 V)氮化镓场效应晶体管,并在半桥配置采用德州仪器公司的栅极驱动器(LM5113)、电源及旁路电容。板上集成了所有关键组件及版图,以实现最优开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。

详情请浏览我们的网站:

关于今日电子杂志

今日电子杂志/21iC中国电子网为业界领先的电力电子媒体,其第十一届2013年度十大电源产品奖参选范围包括所有电源类产品。评选规则包括评选参评产品在技术或应用方面取得显著进步、具有开创性的设计或性价比显著提高。优化开发奖表彰具有完备开发套件,让工程师迅速掌握并进行二次开发的产品。2013年度颁奖典礼于9月12日在北京功率研讨会上举行。

关于EDN China创新奖

EDN创新奖始创于美国,旨在表彰每年度在IC设计及相关产品所取得的重大成果。到今年已经举办了23届,目前它已经成为北美地区具有强大影响力的电子设计工程类奖项。EDN China于2005年将这一奖项引入了中国,并得到了热烈的响应。经过专家和广大设计工程师的评选,每年都会有一批优秀的产品及公司脱颖而出,在中国市场赢得美誉。EDN China于2013年11月12日在上海浦东假日酒店举办创新奖颁奖典礼,正式宣布由读者、网站会员以及专家评委所评选的2013年度“EDN China 创新奖”的评选结果。当天共有130位来自半导体及技术公司的高层以及资深博主出席颁奖活动及晚宴。

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供货商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器 、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音讯放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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宜普电源转换公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的八分之一砖直流-直流电源转换器演示板

EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器的组合所能达到的优异性能。

宜普电源转换公司宣布推出EPC9102演示板,这是一个全功能的八分之一砖转换器演示板。这块电路板就是一个36V-60V输入、12V输出、375kHz相移全桥(PSFB)式八分之一砖转换器,最大输出电流为17A。该演示板内含100V EPC2001 eGaN FET及德州仪器专为驱动eGaN FET而设的半桥栅极驱动器(LM5113)。

LM5113是业界首款能够最佳驱动增强型氮化镓FET、并且能够充分发挥这种FET优势的驱动器。EPC9102演示板展示了当eGaN FET配合德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器,可以实现eGaN FET的高开关频率性能。

这种转换器的结构符合标准八分之一砖的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。尽管这个尺寸比较小,但整个电路板在36V输入电压、10A输出电流条件下,可以达到94.8%的峰值功效。

EPC9102演示电路的设计用于展示使用eGaN FET在375kHz工作时,能够实现得到的尺寸和性能,而设计本身并没有针对最大输出功率进行优化。其工作频率大约比类似商用的八分之一砖DC/DC电源转换器高出50%至100%。

EPC9102演示板的尺寸特别是过大的尺寸,这是方便电源系统设计工程师连接相关的评估平台。演示板上有许多探测点,便于测量简单波形和计算效率。

EPC9102演示板可用在低环境温度和强制空冷条件下的基准评估。随EPC9102演示板一起提供的,还有一份供用户参考和易于使用的快速入门指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf

EPC9102演示板单价为306.25美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为:http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

EPC eGaN FET 及 德州仪器的LM5113 设计工具指南

eGaN FET 设计信息及支持

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宜普电源转换公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的降压电源转换演示板

EPC9101演示板使用具高频开关优势的eGaN功率晶体管,可减小降压电源转换器尺寸和提高效率

EPC9101是一款全功能的降压电源转换器演示电路,实现8V-19V输入、1.2V电压、18A最大电流输出及1MHz降压转换器,使用的器件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET,并配合德州仪器公司最近推出的国半100V半桥栅极驱动器(LM5113)。LM5113是业界首款专为增强型氮化镓场效应晶体管而设计的驱动器。EPC9101演示高开关频率eGaN FET与这个匹配的驱动器,可减小降压电源转换器尺寸和提高性能。

EPC9101的电源电路所占尺寸仅为8mm x 16mm(约0.2平方英寸),如果双面元件也计算在内,它的高度也仅约8mm。电路板的尺寸虽小,它的峰值效率可达88%,当输出电压为1.2V时可以输出18A的电流。

为了有助设计工程师的工作,EPC9101易于使用以评估EPC2014和EPC2015 eGaN FET,以及LM5113栅极驱动器的性能。这块电路板旨在低环境温度和对流冷却条件下进行基准性能评估。如果想评估其超出演示电路之额定电流能力,客户可以额外采用散热器和强制空气冷却措施。

德州仪器公司也提供类似全功能的降压电源转换演示板,型号为LM5113LLPEVB。这个电路板使用的是LM5113驱动器和100V EPC2001 eGaN FET器件。LM5113LLPEVB演示版是一个15V-60V输入、10V/10A输出的800kHz降压转换器。与EPC9101一样,这个电路板展示了使用EPC2001 eGaN FET和LM5113栅极驱动器,可减小降压转换器尺寸和增强其性能。

随EPC9101演示板一起提供的还有一份供用户参考和方便使用的快速入门指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9101_qsg.pdf

EPC9101演示板单价为150美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为:http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

EPC eGaN FET 及 LM5113 设计工具指南

eGaN FET 设计信息及支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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