新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

GaN Powers Small Satellites

GaN Powers Small Satellites
Small satellites bring a more cost-effective approach to low-Earth-orbit (LEO) missions, helping to deliver low-cost internet access across the globe. For this application, GaN FETs partnered with a radiation tolerant pulse width modulation controller and GaN fet driver allow more efficient switching, higher frequency operation, reduced gate drvie voltage and smaller solution sizes compared to the traditional silicon counterparts. Electronics Weekly July, 2019 Read article 阅读全文
分类: 技术文章

Efficient Power Conversion (EPC) CEO and Co-Founder Inducted into the ISPSD Hall of Fame 2019

Efficient Power Conversion (EPC) CEO and Co-Founder Inducted into the ISPSD Hall of Fame 2019
EPC proudly announces the induction of Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder into the ISPSD Hall of Fame 2019 El Segundo, Calif. – May 2019 – Efficient Power Conversion (EPC) Corporation proudly announces that Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder, is inducted into the ISPSD Hall of Fame 2019. This prestigious honor is bestowed upon an honored contributor to advancing power semiconductor technology and sustaining the success of ISPSD. This Hall of Fame award was announced on May 20th, 2019 at 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 2019 at ... 阅读全文
分类: 新闻稿

jjPlus Showcasing Next Generation Wireless Power and WiFi Solutions at Computex 2019

jjPlus Showcasing Next Generation Wireless Power and WiFi Solutions at Computex 2019

Unleash the full potential of your solutions with jjPlus wireless technologies!

TAIPEI, Taiwan, May 21, 2019 — jjPLus Corp. a Taiwan design manufacturer of high quality wireless communications and wireless power embedded solutions, will showcase the next generation Wireless Power Transfer as well as new WiFi solutions at COMPUTEX 2019 in Nangang Exhibition Center, Hall 1, at K1024 booth during May 28 - June 1 in Taipei, Taiwan..

阅读全文
分类: 新闻稿

EPC于欧洲PCIM展会展示基于eGaN 技术、面向汽车、计算机及其他多种应用、具高功率密度的高效DC/DC功率转换

EPC于欧洲PCIM展会展示基于eGaN 技术、面向汽车、计算机及其他多种应用、具高功率密度的高效DC/DC功率转换

宜普电源转换公司(EPC)将于欧洲PCIM展会现场演示优越的氮化镓技术如何提升多种应用所需的电源供电效率,包括运算、通信及运输行业。

EPC团队将于5月7日至9日在德国的Nuremberg、欧洲PCIM展览及研讨会的会场,进行7场关于氮化镓(GaN® )技术及应用的演讲,并于7号馆、335展览摊位与工程师会面并分享最新的、基于eGaN FET及集成电路的终端客户产品。

阅读全文
分类: 新闻稿

车规级80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷达系统看得更清晰

车规级80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷达系统看得更清晰

宜普电源转换公司(EPC)进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管,该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。

宜普电源转换公司(EPC)宣布再多一个车用氮化镓(eGaN)器件(80 V的EPC2214)成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。

阅读全文
分类: 新闻稿

Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs

The Power and Evolution of GaN – Part 2 of 6 part series

Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs
With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost. Power Systems Design Read article 阅读全文
分类: 技术文章

EPC与无线电能技术创新者携手引领5G及其它新应用的发展

EPC与无线电能技术创新者携手引领5G及其它新应用的发展

工研院举办无线电能传输研讨会,邀请了来自AirFuel 无线充电联盟、宜普电源转换公司(EPC)、jjPLUS和IHS Markit的业界领袖进行专家演讲。

2018年10月30日 - 人们对5G、笔记本电脑、机器人、机械工具和医疗设备等新应用的中高功率无线充电(WPT)需求不断增加,无线电力的下一个杀手级应用将会是什么?

为了解答这个问题并旨在推动基于高效无线充电标准的产业发展,台湾工业技术研究院ITRI的区域与两岸工作小组、AirFuel无线充电联盟、宜普电源转换公司(EPC)和jjPLUS公司携手支持首届“无线电能传输(WPT)结合5G新应用研讨会”。活动于2018年10月30日(星期二)在台北的国立台湾大学博理館演讲厅举行。

阅读全文
分类: 新闻稿

硅基氮化镓功率器件如何把硅基功率MOSFET逐出?

硅基氮化镓功率器件如何把硅基功率MOSFET逐出?

专为高效电源转换而设的氮化镓功率晶体管已经投产7年多了。全新的市场例如激光雷达、包络跟踪及无线电源,都成为氮化镓的新兴市场,因为氮化镓具备超高速的的开关速度。这些市场使得氮化镓产品得以量产、成本更低及具备优越的可靠性。这些优势为比较保守的设计工程师提供更大的利好条件,因此,DC/DC转换器工程师、AC/DC转换器及车载应用工程师都开始对氮化镓器件进行评估。要把120亿美元的硅基MOSFET市场转为氮化镓市场,还有什么壁垒呢?就是信心的问题。设计工程师、制造工程师、采购经理及管理层都必需对氮化镓技术的优势有足够的信心、相信氮化镓技术可以解决设计师对采用全新技术的风险的疑问。让我们看看3个主要构成风险的因素:供应链、成本及产品的可靠性。

IEEE Spectrum
阅读文章

阅读全文

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)的两个车规级氮化镓晶体管(EPC2202及EPC2203)成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证,推动一系列面向车用及其它严峻环境的应用的发展。

宜普电源转换公司(EPC)的第一批通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证的氮化镓场效应晶体管(EPC2202EPC2203),荣获《今日电子》杂志与21IC中国电子网颁发2018年度“Top-10电源产品奖—技术突破奖”。该奖项在2018年9月13日于北京举行的21iC电源技术研讨会上颁发。

阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

专为功率系统设计师而设的EPC2051功率晶体管是一种100 V、25 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管,可实现37 A脉冲输出电流。EPC2051是多种应用的理想器件,包括48 V功率转换器、激光雷达及LED照明等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on)))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。

阅读全文
分类: 新闻稿

设计激光雷达应用及进一步应用于全自动电动车方程式E赛车

设计激光雷达应用及进一步应用于全自动电动车方程式E赛车

eGaN FET(及目前的集成电路)之可以应用于全自动车辆的激光雷达系统,以及全自动电动赛车,是因为这些器件可以实现高很多的分辨率(由于具备超短激光脉冲)、更快速的图像速度(由于短激光脉冲),及可以准确地看得更远(由于在超高电流时可以实现快速激光脉冲)。

Planet Analog
阅读全文

阅读全文
分类: 技术文章

EPC公司于PCIM Asia 2018 与功率设计工程师交流无线电源及激光雷达技术的发展和应用

EPC公司于PCIM Asia 2018 与功率设计工程师交流无线电源及激光雷达技术的发展和应用

硅基增强型氮化镓场效应晶体管及集成电路的领先供应商宜普电源转换公司(EPC)于中国上海与功率管理工程师会面并讨论关于1)针对大于30 W功率高度谐振无线功率接收器、内建同步整流FET的E类整流器; 及2)采用eGaN® FET、120 A、少于10纳秒脉冲及占板面积小于3平方厘米的千瓦级激光驱动器。

我们诚挚邀请工程师莅临中国上海,出席我们于2018年6月26日(星期二)上午10时至10时50分、在1099号国展路上海世博展览馆1层2号展馆内举行的PCIM Asia 2018研讨会(电力转换与智能运动研讨会)的演讲。

阅读全文
分类: 新闻稿

How eGaN FETs power LIDAR

How eGaN FETs power LIDAR

LIDAR is presently a subject of great interest, primarily due to its widespread adoption in autonomous navigation systems for vehicles, robots, drones, and other mobile machines. eGaN devices are one of the main factors in making affordable, high performance LIDAR possible in a small form factor thus further fueling the LIDAR revolution.

EDN
By John Glaser
Read article

阅读全文
分类: 技术文章

The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion

The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion
In recent years, GaN-based power conversion has increased in popularity due to the inherent benefits of eGaN FETs over conventional Si transistors. Migrating a converter design from Si to GaN offers many system-level improvements, which require consideration of all the components in that system. This trend has subsequently spurred a growth in the ecosystem of power electronics that support GaN-based designs. Power Systems Designs By Edward A. Jones, Michael de Rooij, and David Reusch Read article 阅读全文
分类: 技术文章

eGaN FET-Based Synchronous Rectification

eGaN FET-Based Synchronous Rectification
As GaN-on-Si becomes more common in DC-DC converter designs, questions often arise from experienced designers about the impact of the unique characteristics of GaN transistors when used as synchronous rectifiers (SRs). In particular, the third quadrant off-state characteristics, better known as “body diode” conduction in Si MOSFETs, which is activated during converter dead-time, is of interest. For this article, the focus will be on the similarities and differences of Si MOSFETs and eGaN® FETs when operated as a “body diode” and outline their relative advantages and ... 阅读全文
分类: 技术文章
RSS
12345678

新闻存档