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全新栅极驱动器延伸德州仪器用以驱动氮化镓场效应晶体管的集成电路产品系列

德州仪器公司发布了一个全新应用于高密度电源转换器、专门驱动MOSFET及氮化镓场效应晶体管的低侧栅极驱动器(LM5114)。 这个驱动器适用于低侧应用,包括同步整流器及经过功率因数较正的转换器。加上在2011年推出的业界第一个100V半桥氮化镓场效应晶体管驱动器(LM5113),这个产品系列提供了完整的隔离DC/DC电源转换驱动器解决方案,专门驱动应用于高效电信、网络及数据中心的具大功率输出特性之氮化镓场效应晶体管及MOSFET。请浏览www.ti.com/gan 以取得详情、样片及评估板的资料。

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德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖

1/3/2012 德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖。该著名行业杂志的读者皆为电子设计工程师,经过编辑评审过千于2011年发布的产品,选出于以下各方面表现优胜的产品:创新设计、于技术或应用方面取得重大发展及具成本和性能超卓优势。 德州仪器推出业界首款针对增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的驱动器。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,由于具有较低的导通电阻(Rdson)、栅极电荷(Qg)以及超小的体积,增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度,但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。国半的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战,使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。 “我们衷心祝贺德州仪器荣获这个殊荣。LM5113桥式驱动器为设计工程师提供一个确实的plug & play解决方案,加速业界采用eGaN ®FET及其普及化。LM5113释放了eGaN FET的效能优势,帮助设计工程师实现功率及系统密度方面的全新性能基准。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow ... 阅读全文
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National Semiconductor Introduces Industry’s First 100V Half-bridge Gate Driver for Enhancement-mode Gallium-Nitride Power FETs

National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 ... 阅读全文
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Microsemi announces partnership with EPC

Microsemi公司正在与宜普电源转换公司(www.epc-co.com)合作开发一系列用于高可靠性宇航与军事应用中的高性能FET产品。两家公司在2011年3月21至24日于佛罗里达州奥兰多市举行的政府微电路应用与关键技术会议(GOMAC)上发表了题为“在长期应力下的增强型氮化镓产品特性”的联合研究论文。这份研究报告提供了可靠性测试结果,并展示了在高温和暴露在辐射环境下器件的稳定性能。

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