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EPC2010获得第七届电子设计技术杂志颁发“中国创新大奖 - 优秀产品奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 宣布EPC2010获得中国电子设计技术杂志(EDN China)颁发2011年度中国创新大奖-优秀产品奖(功率类)。颁奖典礼在2011年12月1日于上海举行。“中国电子设计技术杂志-中国创新奖”在2005年创办,是一项备受业内电子设计工程师和经理推崇和关注的年度活动。 EPC2010为第二代200VeGaN场效应晶体管,具更快开关速度及更卓越性能,不仅环保、不含铅,并且用符合RoHS(有害物质限制)指令的封装。 EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值为25mΩ,栅极施加电压是5V。EPC2010提高脉冲电流额定值至60A(而EPC1010是40A),并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值,电容值也更低。 与具有相同导通电阻值的先进硅功率MOSFET相比,EPC2010体积更小,开关性能更高出许多倍。受益于更高性能eGaN FET的应用很多,其中包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬件开关和高频电路 EPC2010的应用笔记及数据表可以分别点击这里: ... 阅读全文
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宜普公司推出业界领先的第二代200V增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管

宜普EPC2010采用符合RoHS的无铅封装,提供更卓越高频开关的性能表现 宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010,具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS(有害物质限制)指令。 EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值为25mΩ,栅极施加电压是5V。这种eGaN FET与第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明显的性能优势。EPC2010将脉冲电流额定值提高到60A(而EPC1010为40A),并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值,电容值也更低。 与具有相同导通电阻值的先进硅功率MOSFET相比,EPC2010体积更小,开关性能更高出许多倍。受益于更高性能eGaN FET的应用很多,其中包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬件开关和高频电路。 “宜普是第一家实现氮化镓功率场效应晶体管商用化的公司。随着第二代产品的推出,宜普进一步提升了氮化镓场效应晶体管的性能标杆。另外,宜普的新一代eGaN产品也是首个无铅化且符合RoHS的氮化镓场效应晶体管。” 宜普公司合夥创始人及首席执行官Alex ... 阅读全文
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