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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第12章 – 优化死区时间

杂志 :Power Electronics Technology
作者 :宜普电源转换公司应用副总裁Johan Strydom博士
日期 :2013年1月

我们在之前的文章讨论氮化镓场效应晶体管与硅器件相同之处,并可以利用 量度性能的相同标准来评估它。虽然根据大部分的量度标准结果可以看到,氮化镓场效应晶体管的表现更为优越,但氮化镓场效应晶体管的体二极管前向电压比 MOSFET较高及在死区时间内可以是高功率损耗的元件。体二极管前向导通损耗 并不构成在死区时间内产生的全部损耗,而二极管反向恢复及输出电容损耗也很重要。本章讨论管理死区时间及工程师需要把死区时间损耗减至最低。

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分类: 技术文章

宜普公司的无线电源传送展示系统获得PowerPulse.Net评选为2012年度十大无线充电应用发展

无线充电将于2013年成为于电力电子业界增长迅猛的应用,其主要的发展步伐从2012年起开始加快。PowerPulse.Net编辑评选出十大发展以反映无线充电应用在2013年及之后的重要发展历程。

宜普在2012年8月宣布推出高效无线电源展示系统,它采用了具备高频开关性能的氮化镓晶体管(eGaN® FET),由于该晶体管可以在高频、高压及高功率条件下有效率地工作,所以非常适用于高效无线电源系统。该系统由宜普及WiTricity公司共同开发,为一个在工作频率为6.78 MHz的D类电源系统,能够向负载提供高达15W的功率。使用这个展示系统的作用是可以简化无线电源技术的评估流程。这个系统内的所有主要元件都是易于连接,可以展示无线电源传送如何对器件充电。

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分类: 新闻稿

增强型氮化镓场效应晶体管提高无线电源传送的效率

杂志:Bodo’s Power Systems (www.bodospower.com)
日期:1/2/2013
作者:宜普公司首席执行官Alex Lidow博士、应用工程执行总监Michael deRooij博士及应用工程 总监David Reusch博士
摘要:本文展示了增强型氮化镓场效应晶体管推动谐振拓扑在效率方面实现重大改善,以及工作 在6.78 MHz频率范围的无线电源传送实用范例。

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分类: 技术文章
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