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Tech Blog Writer 播客 #180 – 为什么氮化镓技术即将颠覆硅技术?

Tech Blog Writer 播客 #180 – 为什么氮化镓技术即将颠覆硅技术?

宜普电源转换公司(EPC)于本年1月在拉斯维加斯举行的CES 2017展览演示氮化镓(GaN)如何成为全自动驾驶车辆背后的重要技术、没有电源线的未来家居、联网汽车及药丸内含微型X光系统以非侵入式方法进行结肠镜检查。可以替代半导体业界最常用的硅器件是一种名为氮化镓(GaN)的全新材料,而性能更优越的EPC的GaN器件名为eGaN器件。硅技术帮助Intel公司建立其王国,它有可能被GaN替代吗?你将从本播客知道更多。硅技术在数字时代的日子将不会长久,而各家公司必需颠覆破坏其对手,抑或是被颠覆破坏。喜欢技术及希望知道业界发展方向的朋友会喜欢本播客。嘉宾资料:Alex Lidow博士是EPC公司的首席执行官兼共同创办人。他会为大家解答氮化镓是什么、为何使用氮化镓技术及该技术何去何从等问题。

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Tech Blog Writer 播客
2017年1月 20日

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分类: 访问文稿

无线电源应用的挑战和机遇

无线电源应用的挑战和机遇

无线电源传输(WPT)技术在不久的未来势将为我们的电力电子世界带来颠覆性创新成果。由MIT 分拆出来的WiTricity公司的总裁Eric Giler于2009年的精彩TED演讲题目为“无线电力演示”。他演示了如何利用无线电源传输技术为一部小型TV供电,时为2009年。之后该技术一直发展至现在。你可继续阅读全文以了解这个让人赞叹的领域如何为设计工程师提供发展机遇。 

EDN Network
2017年1 月26日
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分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN FET及 IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN FET及 IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN® FET及 IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州(Virginia)的Blacksburg应用中心落成。该中心进一步支持增强型氮化镓晶体管及集成电路的研发及应用,从而扩大潜在市场的覆盖率。除了基于传统的场效应晶体管及集成电路的功率转换应用外,氮化镓技术推动新兴应用的出现,包括无线电源传输、应用于全自动驾驶车辆的激光雷达技术及 支持4G和5G通信标准的包络跟踪应用。

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分类: 新闻稿

Podcast: Bloomberg Radio Interview with Alex Lidow at CES 2017

Podcast: Bloomberg Radio Interview with Alex Lidow at CES 2017

EPC CEO and Co-Founder, Alex Lidow, discusses the life changing applications on display at CES with Bloomberg Radio. Applications such as LiDAR for autonomous cars with the potential to disrupt the transportation industry and wireless power with the potential to eliminate power cords are highlighted as well as how GaN enables these new technologies.

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Bloomberg
January, 2017

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与MOSFET相比,基于eGaN FET的开发板展示出eGaN FET具备超快速的转换速度特性,在自动驾驶汽车可实现优越的激光雷达(LiDAR)系统性能

与MOSFET相比,基于eGaN FET的开发板展示出eGaN FET具备超快速的转换速度特性,在自动驾驶汽车可实现优越的激光雷达(LiDAR)系统性能

EPC9126开发板基于具备超快速的转换速度特性的eGaN® FET,可通过大电流脉冲及低至5 ns的总脉宽来驱动激光二极管,从而提高激光雷达系统的侦测资料的质素,包括侦测资料的准确度、精准度及处理速度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9126评估板。该板是基于100 V大电流脉冲激光电源设计,可驱动激光二极管。在自动驾驶汽车的激光雷达系统中,侦测目标物件的速度及准确性非常重要。EPC9126评估板展示eGaN FET具备快速转换速度的特性,与等效MOSFET相比,eGaN FET可以高达快十倍的速度提供功率脉冲来驱动激光二极管,从而提高LiDAR系统的整体性能。

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分类: 新闻稿
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