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EPC宜普电源转换公司推出商用高铅含量的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN ® FET)

宜普公司的增强型氮化镓场效应晶体管备受推荐,其商用高铅含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件现在可以在网上购买。 宜普公司(www.epc-co.com.cn)推出带高铅含量焊锡端子的器件,非常适合要求更高焊接温度的应用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中的铅含量为95%,而锡含量为5%。 EPC2801是一种100 VDS器件,在栅极电压为5V时,其RDS(ON)最大值为7mΩ,而EPC2815是一种40 VDS器件,其RDS(ON)最大值为4mΩ。 EPC2818是一种150 VDS器件,其RDS(ON)最大值为25mΩ 表一:器件规格额定值总览 批量为一千片时,EPC2801器件的单价为7.51美元,EPC2815器件的单价为6.35美元,EPC2818器件的单价为16.25美元。 客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为 http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion 关于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的设计资料及技术支持资料 下载所有宜普公司eGaN器件的数据表: http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx ... 阅读全文
分类: 新闻稿

无封装高电子迁移率晶体管可实现高效功率转换

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。

杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月

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分类: 技术文章
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EPC Addresses Global GaN Power Management Product Demand; Leverages Digi-Key for Global Distribution

Global electronic components distributor Digi-Key Corporation, the industry leader in electronic component selection, availability and delivery, today announced new inventory of Gallium Nitride (GaN) power management products, available for immediate shipment as part of an exclusive global distribution agreement with Efficient Power Conversion (EPC) http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.html

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Efficient Power Conversion (EPC) Introduces Development Board Showcasing 100 V Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN®) FETs in Parallel for High Current Applications

EPC9017 development board features eGaN FETs in parallel operation using optimum layout techniques to increase current capability and efficiency. EL SEGUNDO, Calif.— October, 2013 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9017 half bridge development board for high current, high step down voltage, buck Intermediate Bus Converter (IBC) applications using eGaN FETs. In this application two low side (synchronous rectifier) FETs are connected in parallel since they will be conducting for a much longer period compared to the single high side (Control) FET. ... 阅读全文
分类: 新闻稿
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