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领先业界的宜普公司氮化镓场效应晶体管获电子设计技术杂志颁发2012年度优秀产品奖

宜普公司(www.epc-co.com) 宣布获得电子设计技术杂志颁发2012年度创新奖(电源器件与模块组别)之优秀产品奖。今年是电子设计技术杂志扎根中国第八个年头,它通过全球电子设计工程师网友及经理的投票与专家选评取得结果,为电子产业内最具影响力和权威的奖项。 宜普公司首席执行官Alex Lidow 说“我们非常荣幸获得电子设计技术杂志颁发奖项,并得到业界工程师的支持,作为在市场的主导产品,EPC2012是我们氮化镓场效应晶体管系列中成员之一,为客户所采用的更高性能并替代硅基MOSFET器件的产品”。 EPC2012器件为第二代200 V、具高频开关及增强性能的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET),并使用无铅以及符合RoHS(有害物质限制)条例的封装。 EPC2012 FET是一款面积为1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件,RDS(ON)最大值是100 mΩ,栅极电压为5 V,脉冲额定电流为15 A,因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强。 与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。 eGaN FET ... 阅读全文
分类: 新闻稿
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