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面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流

面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流

EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流,因此可以提高激光雷达(LiDAR)系统所侦测的资料的质素,包括资料的准确性、精确度及制作速度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板(EPC9126HC)。面向全自动汽车应用的激光雷达系统需要制作三维地图,因此,侦测四周的目标物件的速度及准确性变得非常重要。从EPC9126HC演示电路板可以看到,与等效MOSFET相比,具备快速转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)所提供的脉冲功率可以快十倍的速度驱动激光二极管,从而提升激光雷达系统的整体性能。

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分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) eGaN Transistor Wins 2017 Impact Award from Electronics Component News Magazine

Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) eGaN Transistor Wins 2017 Impact Award from Electronics Component News Magazine
EPC2040, an eGaN® power transistor optimized for LiDAR applications, placed first in the Passive Components & Discrete Semiconductors category of ECN magazine’s prestigious 2017 Impact Award. EL SEGUNDO, Calif — November  2017 — Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) is proud to announce that Electronic Component News (ECN) — a leading trade publication for electronic design engineers — has awarded the EPC2040, enhancement mode gallium nitride (eGaN) transistor its ECN Impact Award for 2017 in the Passive Components and Discrete ... 阅读全文
分类: 新闻稿
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