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GaN 晶体管启程商用之路

自2004年GaN HEMT(高电迁移 率晶体管)问世以来,基于GaN材料 的新技术不断涌现,但由于成本偏 高和耗尽型 作的不方便,GaN晶体 管市场接受度一直受限,不过这一 局面有望得到改观。美国宜普公司 最近推出首款增强型硅基GaN功率晶 体管(简称eGaN FET),可专门用于 替代MOSFET,而且使用标准硅制 造技术和设备,可以低成本大批量 生产。

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宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow于中国创新科技会议演讲

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