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Gallium nitride based devices set to bring substantial boost to power efficiency

Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors. But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet. By: Graham Pitcher New Electronics December 13, 2011 Read the article 阅读全文

EPC2010获得第七届电子设计技术杂志颁发“中国创新大奖 - 优秀产品奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 宣布EPC2010获得中国电子设计技术杂志(EDN China)颁发2011年度中国创新大奖-优秀产品奖(功率类)。颁奖典礼在2011年12月1日于上海举行。“中国电子设计技术杂志-中国创新奖”在2005年创办,是一项备受业内电子设计工程师和经理推崇和关注的年度活动。 EPC2010为第二代200VeGaN场效应晶体管,具更快开关速度及更卓越性能,不仅环保、不含铅,并且用符合RoHS(有害物质限制)指令的封装。 EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值为25mΩ,栅极施加电压是5V。EPC2010提高脉冲电流额定值至60A(而EPC1010是40A),并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值,电容值也更低。 与具有相同导通电阻值的先进硅功率MOSFET相比,EPC2010体积更小,开关性能更高出许多倍。受益于更高性能eGaN FET的应用很多,其中包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬件开关和高频电路 EPC2010的应用笔记及数据表可以分别点击这里: ... 阅读全文
分类: 新闻稿
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