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宜普电源转换公司将在2014年APEC®研讨会分享支持高频谐振转换器及包络跟踪供电的氮化镓(GaN)技术

于2014年IEEE的 APEC功率电力电子业界研讨会中,宜普电源转换公司的应用技术专家将分享氮化镓场效应晶体管技术如何于应用中比硅功率MOSFET器件优胜。 硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于2014年APEC技术研讨会以应用为主题进行三场技术演讲,与参与者分享高频谐振转换器及高频、硬开关功率转换器设计。研讨会将于3月16日至20日在德克萨斯州的Fort Worth举行。 首屈一指的APEC研讨会以功率电子业务的实用及应用方面为主题,深受功率电子业界专业人员爱戴,讨论的范围涵盖使用、设计、制造及推广所有种类的功率电子元件及设备,详情请访问 http://www.apec-conf.org/。 宜普电源转换公司共同创办人及首席执行官Alex Lidow博士称「我们非常荣幸得到APEC2014年技术复核委员会选出EPC专家的技术文章,于APEC的年度研讨会发表,这是支持我们相信功率系统工程师对高性能氮化镓技术感到兴趣并获得他们的赞同。」 EPC专家以GaN FET技术为题的演讲: “Evaluation of Gallium Nitride Transistors in High Frequency Resonant and Soft-Switching DC-DC ... 阅读全文
分类: 新闻稿

氮化镓器件市场规模将超过22亿美元

根据Transparency Market Research市场研究公司的一份最新市场研究报告(2013至2019年氮化镓半导体器件市场(功率半导体/光电半导体)- 全球业界分析、市场规模、份额、增长、趋势及预测),2012年氮化镓器件市场总值达3.7982亿美元,并估计到2019年将达22.0373亿美元, 2013年至2019的年均複合增長率为24.6%。

Compound Semiconductor网
2014年2月19日

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分类: 技术文章

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Expands High Frequency eGaN® Power Transistor Family Capable of Amplification into the Multiple GHz Range

EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range. EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm2 with 100 VDS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum RDS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of ... 阅读全文
分类: 新闻稿

How To GaN: eGaN® FETS in High Performance Class-D Audio Amplifiers

The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with ... 阅读全文
分类: 技术文章

GaN — Still Crushing Silicon One Application at a Time

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications. Power Pulse By: Alex Lidow February, 2014 阅读全文
分类: 技术文章

宜普公司推出采用半桥式并联配置的大电流开发板(EPC9013)

EPC9013开发板内含100 V氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),是一种35 A最大输出电流并采用四个半桥式配置的电路设计及配备一个板载栅极驱动器。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新开发板 EPC9013 ,内含100 V增强型氮化镓场效应晶体管(EPC2001),使用四个半桥式并联配置及一个板载栅极驱动器,以降压模式工作在达35 A最大输出电流。这种创新设计可增加输出功率之同时并不会降低效率。 EPC9013 开发板是块2英寸x1.5英寸单板,内含八个EPC2001氮化镓场效应晶体管及德州仪器LM5113栅极驱动器,可在电机驱动器及隔离型转换器应用中以降压型、升压型、双向型或半桥式工作,我们建议在大电流应用中使用并联配置。印刷电路板的版图设计可实现最高开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形及评估氮化镓场效应晶体管。 这种开发板可简化对氮化镓场效应晶体管(EPC2001)在大电流工作时进行评估的过程,因为板上集成了所有关键元件,因而易于连接任何现有转换器。 随EPC9013开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的 速查指南 ... 阅读全文
分类: 新闻稿
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