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Where is GaN Going?

Where is GaN Going?
Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET. EDN Alex Lidow February 18, 2015 阅读全文
分类: 技术文章

Efficient Power Conversion (EPC) to Demonstrate 500 W High Power Density GaN-based Eighth Brick DC-DC Converter at the 2015 Applied Power Electronics and Exposition Conference (APEC)

Efficient Power Conversion (EPC) to Demonstrate 500 W High Power Density GaN-based Eighth Brick DC-DC Converter at the 2015 Applied Power Electronics and Exposition Conference (APEC)

At the IEEE APEC 2015 power electronics industry conference, EPC applications experts will make eight technical presentations on GaN FET technology and applications showing the superiority of GaN transistors compared to silicon power MOSFETs.

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分类: 新闻稿

半导体的改革者

Bloomberg Business的Ashlee Vance 剖析宜普电源转换公司(EPC)的发展。一直以来,硅保留了它对半导体行业发展的影响力。在过去的60年里,晶体管所使用的半导体材料以硅为首选。晶体管就是细小的开关,它是驱动信息时代发展的动力。硅谷也以此材料而命名,而且许多公司藉着它打造出价值十亿元的王国。现在我们把眼光移离硅元素 -- 它最终有可能处于被取替的边缘。

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Bloomberg Business
2015年2月12日

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分类: 技术文章

实现专业高音质及96%功率效率 – 宜普公司的演示板采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),实现具备卓越音频性能并节省占位空间的设计

实现专业高音质及96%功率效率 – 宜普公司的演示板采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),实现具备卓越音频性能并节省占位空间的设计

采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的EPC9106 D类音频放大器参考设计展示出可以提升效率、缩减尺寸及省去散热器之同时可以实现针对专业级消费者所要求的高音质。

宜普电源转换公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计,包含四个接地的半桥输出功率级电路,使得设计可以升级及扩展。

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分类: 新闻稿

等同于CMOS的竞争对手 -- 氮化镓(GaN)技术引燃了改变市场的创新动力

从业界的观点来看,只有可以为人类提供效益及性能优势的技术才能够生存。 主流技术CMOS就是一直为业界提供无比的益处而得以长存。 当下的问题是CMOS技术将会变成夕阳产业吗?新兴的氮化镓技术终于能够打破阻碍氮化镓功率器件普及化的成本障碍。根据2015年DesignCon研讨会的主讲嘉宾所描述,氮化镓技术可推动宽泛范围的新兴应用的发展,包括从无线充电、全自动汽车以至更高效的移动通信等应用。

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EETimes Asia
2015年2月

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