新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

法国Yole公司预测氮化镓功率器件在2012年的销售额将达一千万美元

Written by Peter Clarke - 3/7/2012 2:20 PM EST LONDON - The market for power devices implemented in gallium nitride was less than $2.5 million in 2011, according to market research firm Yole Developpement (Lyon, France). However, there is a great deal of R&D activity and Yole sees the power GaN market growing to nearly $0 million in 2012 and $500 million in 2016. International Rectifier Corp. (El Segundo, Calif.) and Efficient Power Conversion Corp. (El Segundo, Calif.) are likely to remain the two main vendors of GaN power devices in early 2012 and the annual market is likely to ... 阅读全文

市场对增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 优势的认受性 –IIC 2012专访

Alex Lidow 是HEXFET功率MOSFET的共同发明者之一,现职宜普电源转换公司首席执行官。他在2012年2月23日于中国深圳IIC绿色能源技术会议上演讲及接受独家访问。Alex 分析市场对增强型氮化镓场效应晶体管的认受性是由于该器件比硅功率MOSFET体积更小及具更卓越的性能。Alex也分享了eGaN对功率半导体市场的冲击以及应用前景。他特别强调EPC即将推出的高压eGaN功率器件在高压AC/DC转换器以及大功率马达控制应用的优势。

阅读全文
分类: 访问文稿
RSS

新闻存档