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硅、氮化镓与碳化硅器件的比拼:我的功率设计应该选用哪一个工艺及供应商?

杂志:EDN
作者:Steve Taranovich
日期:2013年3月15日

随着功率元件不断的演进,领先开发者之间的竞赛更趨白热化。业界专家认为在2013年中大约有一半的氮化镓、硅及碳化硅器件的供应商将在工艺方面取得进展、提供全新结构及性能,进而为业界提供全新选择及开发工具。详情请浏览http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

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Paultre on Power - Power GaN

作者 :Alix Paultre
杂志 :Power Systems Design

这个podcast的内容是关于我们与宜普电源转换公司Alex Lidow的谈话内容,Alex主要分享全新氮化镓器件的技术及它们对电源业界的影响。宜普公司是基于增强型氮化镓的电源管理器件的领先供货商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,应用范围包括负载点转换器、以太网供电、服务器、计算机应用的直流-直流转换器、LED高效照明、移动电话、射频传送、太阳能微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282

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分类: 访问文稿

宜普推出全新内含100 V氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的开发板(EPC9010)

EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器,帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统。 宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路 EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计,内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管,并同时配合板载栅极驱动器。推出EPC9010开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程,因为板上集成了所有关键元件,因此易于与目前任何转换器连接。 EPC9010开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2016 氮化镓场效应晶体管及德州仪器的栅极驱动器(LM5113),而且包含电源和旁路电容。EPC9010开发板集成了所有关键元器件及布局,以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。 随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可提高工业应用的负载点转换器的效率及提升其功率密度

宜普产品应用总监David Reusch博士 / 销售及推广副总裁Stephen L.Colino 在24 V直流系统里采用的传统负载点转换器,设计工程师需要权衡使用一个高成本的隔离型转换器及使用一个低频及低效的降压转换器。与通常在计算机系统里使用的12 V负载点转换器相比,较高压的24 V负载点转换器因为需要考虑开关节点的振铃而需增加场效应晶体管的电压至最少达40 V,以及增加换向损耗及输出电容损耗。宜普公司的氮化镓场效应晶体管由于具备超低QGD性能, 从而可实现低换向损耗,并具备低QOSS性能,以实现较低输出电容损耗。 此外,宜普公司的氮化镓场效应晶体管具备创新的晶片级栅格阵列封装,在高频功率环路及栅极驱动环路,以及最重要的在这些环路的共通路径(称共源电感)都可容许超低电感,从而把换向损耗减至最低。氮化镓器件的低电荷及共源电感可帮助设计工程师通过提高频率使功率密度得以提高而并没有像传统MOSFET器件那样需要折衷效率。 阅读摘要 阅读全文
分类: 技术文章

EPC named a Constant Contact 2012 All Star

EPC is honored to be recognized as a 2012 All Star by Constant Contact. This status is an annual designation that only 10% of Constant Contact customers achieve. It is awarded to companies making extra efforts to engage customers. We would like to thank all who have supported us. If you are not already receiving our newsletter please join our list @ http://bit.ly/qr28tu

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分类: 新闻稿
标签: 奖项

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)与硅功率器件比拼第十三章、第一部分: 寄生电感对采用不同器件的转换器在性能方面的影响

作者:宜普公司产品应用总监David Reusch博士

在不同的应用里与硅MOSFET器件相比,增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数,因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用(工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下),寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。

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分类: 技术文章
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