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宜普电源转换公司(EPC)将于GOMACTech研讨会与工程师分享采用氮化镓(eGaN®)晶体管的直流-直流转换器工作在10 MHz频率、峰值效率为89%并可在严峻环境下工作

宜普公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow 将与工程师分享专为工作在10 MHz频率范围而设的全新增强型氮化镓(eGaN®)高电子迁移率晶体管系列,由于这些晶体管在经过辐射照射后仍然具高可靠性,因此它们是高可靠性应用的理想器件。 硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将在四月三日于美国南卡羅來納州的Charleston市举行的第39届GOMACTech年度研讨会演讲。 自2010年以来,增强型氮化镓晶体管已作 商业用途 ,并大大地提高商用及使用不同拓扑及功率级的DC-DC转换器的效率。此外,该晶体管也被展示了可 抵受很高伽玛剂量的辐照并通过单次事件效应(SEE)测试。 与耐受辐照的功率MOSFET器件相比,氮化镓场效应晶体管可改善影响开关性能的品质因数达40倍,使得宇航级供电应用设计师可实现商用先进系统的效率。 Alex Lidow称「我们很高兴藉着这个机会与工程师分享宜普公司最新一代高性能氮化镓功率晶体管以及这些器件经过辐照测试后所取得的优异成绩。专为在数MHz频率开关的转换器应用而设的硅基氮化镓功率晶体管可帮助设计耐辐射系统的工程师实现与商用先进系统一样的功率密度及效率。」 关于2014年GOMACTech 研讨会 GOMACTech ... 阅读全文
分类: 新闻稿

APEC 2014研讨会由PMBus、氮化镓(GaN)及其它多个议题主导

在德州Fort Worth举行的APEC 2014年度IEEE功率电力电子研讨会已经完满结束。 该研讨会的多个议题让与会者留下深刻印象,其中一个是经历了饶具趣味的进程的氮化镓(GaN)功率晶体管。详情请访问 http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014

Electronic Design杂志
2014年3月

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分类: 技术文章

Yole发表关于谁主硅基氮化镓市场报告

Yole Développement市场研究公司将于本星期发表关于“硅衬底氮化镓基技术及LED与功率电子市场”研究报告。分析员相信功率电子应用将普遍采纳硅基氮化镓技术。功率电子市场所涵盖的应用包括交流-直流或直流-交流电源转换,这些应用皆面对很大的电源损耗并随着更高功率及更高工作频率而增加。由于目前的硅基技术已接近其极限,因此很困难达到业界所需的更高要求。

详情请访问 http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html

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宜普电源转换公司专家于亚太区业界功率研讨会展示采用氮化镓场效应晶体管可提高无线电源传送应用的效率达20%

宜普公司专家将于三个业界技术研讨会演讲:第十三届慕尼黑上海电子展 - 国际电力电子创新论坛、IIC电子工程盛会 - 2014年春季论坛及台湾宽能隙电力电子研发联盟举办的宽能隙电力电子国际研讨会。 硅基增强型功率氮化镓(eGaN®)功率晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于亚太区业界技术研讨会进行三场技术演讲。 于3月18日在中国上海举行的两场业界研讨会中,宜普公司技术专家将与您分享更高效的氮化镓(GaN)功率器件如何替代陈旧的硅MOSFET器件,并如何在无线电源传送(WiPo)应用取得更高性能。多个提高性能的范例包括在一个全新功率转换设计中提高效率达20%,及另一个设计在6.78 MHz的ISM频带下工作并使用松散耦合线圈,可传送高达30W功率。 于4月10日宜普公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow博士将于宽能隙电力电子国际研讨会演讲,议题为“利用氮化镓击败硅技术”。Lidow希望藉着这个促进技术合作和知识交流的机会与工程师分享全新应用、目前市场上最新的产品资讯、氮化镓技术未来发展的路线图及氮化镓与功率MOSFET、碳化硅器件的相对竞争力的比较。 宜普公司参加的业界研讨会总览: 第十三届慕尼黑上海电子展 - 国际电力电子创新论坛 日期 :2014年3月18日 议题 : ... 阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出采用具亚纳秒范围内开关速度的氮化镓晶体管并适用於10 MHz頻率以上硬開關應用的开发板

EPC公司推出采用半桥式拓扑并配备一个板载栅极驱动器的开发板,可简化对超高频、高性能的EPC8000氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)系列进行评估。 EPC公司推出全新开发板系列(型号由EPC9022 至 EPC9030),可简化对超高频氮化镓(eGaN)功率晶体管EPC8000产品系列进行评估。 由于 EPC8000系列 的高频氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在亚纳秒范围内开关,因此适用於10 MHz頻率以上的硬開關應用,使得功率及射频晶体管的分界线变得模糊!我们设计它们工作在10 MHz频率下。即使在10 MHz以上時,這些產品也具有非常高的小信號射頻性能,並且在低吉赫茲頻率範圍內具有高增益,使得這些器件成为射頻應用中極具競爭力的一個選擇。对于需要具极速开关性能的功率晶体管的应用如无线电源、采用65 V及100 V器件的包络跟踪等应用,它们是理想器件。 EPC8000 系列的产品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔電壓能力可供选择。 为了简化对高频、高性能的氮化镓场效应晶体管进行评估,宜普公司为这个全新产品系列内的每一个器件提供开发板。每块开发板是块2英寸x1.5英寸单板,内含两个氮化镓场效应晶体管,使用半桥式配置,最低开关频率为500 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

于无刷式直流伺服马达,采用硅器件与采用氮化镓场效应晶体管的功率逆变器的比较

由于德国航空太空中心的机械人及机械电子研究院(Robotics and Mechatronics Institute )对改善传感器及功率电子的兴趣很大,我们利用开发全新机械人的机会来评估宜普电源转换公司(EPC)的全新增强型氮化镓场效应晶体管技术并与我们目前最优秀的逆变器设计进行比较。

杂志 :Bodo’s Power Systems
作者:德国航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期:2014年3月

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分类: 技术文章
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