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宜普电源转换公司推出专为缩短工程师的学习曲线而设的“如何使用氮化镓器件”教程系列的视频播客

宜普公司推出由业界专家制作合共十一个教程单元的视频播客,帮助工程师了解并探索氮化镓功率晶体管的理论、基本设计及实际应用。 宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)推出合共十一个教程单元的网络视频播客,专为功率系统设计工程师而设,提供基于技术及应用的工具,让工程师学习如何使用基于氮化镓的晶体管设计出更高效电源转换系统。 该视频系列除了包括氮化镓器件的理论及基本设计的概览外,在广阔的电力电子应用领域提供采用氮化镓晶体管的实例如支持通信及数据通信系统的 直流-直流转换。 此外,该教程系列展示了优越的氮化镓器件推动了新兴应用的出现例如无线电源传送 及 射频包络跟踪等应用。 第一个单元是“如何使用氮化镓 – 材料的比较”,让工程师了解 为什么氮化镓是一个这么好的半导体材料。之后我们深入探讨氮化镓器件的性能特性、提供设计实例及通过解构设计要求如栅极驱动器、版图及热管理来学习关于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的实际应用。 宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex ... 阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司推出专为大电流及具高降压比转换器应用而设的开发板

EPC9016开发板内含40 V增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),是一种25 A最大输出电流并采用并联配置的电路设计,可提高电流能力达67%,其最优版图技术可实现最优化效率。 宜普电源转换公司宣布推出EPC9016采用半桥式配置的开发板,专为采用氮化镓场效应晶体管的大电流、高降压比、降压中间总线转换器(IBC)应用而设。与采用单一高侧(控制)场效应晶体管相比,我们并联了两个低侧(同步整流器)场效应晶体管使得传导时间更长。 与硅MOSFET器件相比,氮化镓场效应晶体管具备超卓的电流共享功能,为理想的可并联工作的晶体管。这块开发板在 最优版图 上进一步发挥采用超低电感封装的氮化镓场效应晶体管的性能。这种最优版图技术提高了效率并同时降低电压过冲及EMI。 EPC9016 开发板的最高电压为40 V、最大输出电流为25 A,使用半桥配置、配以EPC2015 氮化镓晶体管及板载栅极驱动器(LM5113)。该半桥配置含单一顶部器件及两个并联的底部器件,建议用于具有高降压比例的降压转换器应用包括负载点转换器及给非隔离型通信基建使用的降压转换器应用。 EPC9016 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

How To GaN: Paralleling High Speed eGaN FETS for High Current Applications

This column evaluated the ability to parallel eGaN® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and ... 阅读全文
分类: 技术文章
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