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播客系列 – 氮化镓的时代终于来临了

播客系列 – 氮化镓的时代终于来临了

宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow与Power Systems Design杂志编辑Alix Paultre分享全新eGaN FET系列,实现具备优越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的器件。价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。

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Power Systems Design
2015年4月29日

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司的全新eGaN功率晶体管突破了硅器件之前无可匹敌的成本/速度壁垒

宜普电源转换公司的全新eGaN功率晶体管突破了硅器件之前无可匹敌的成本/速度壁垒

全新eGaN®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036EPC2036 (100 V)eGaN功率晶体管,专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓(GaN)晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。

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分类: 新闻稿

摩尔定律经历50年,如何拯救它使它不致走向灭亡?应该拯救它吗?

摩尔定律经历50年,如何拯救它使它不致走向灭亡?应该拯救它吗?

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow一直专注于制造创新产品,目的在延长摩尔定律的寿命。Intel及业界认为传统硅晶片技术已经达到顶峰 --不久有公司将制造出一种硅材料可以实现的低成本及高效的晶片。Lidow说他找出一种比硅在很多方面都更为优胜的半导体材料--氮化镓材料(GaN)。氮化镓晶片无论是在实验室或实际上的多个范例都比硅晶片优越、具备更低的制造成本及使用现有制造硅晶片的基础设施,而且氮化镓器件更为稳固及需要更少的保护性元素。

读过的文章
PandoDaily
2015年4月21日

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分类: 技术文章

摩尔定律的五十年:过去与未来

摩尔定律的五十年:过去与未来

半导体业界资深人士及宜普电源转换公司(EPC)首席执行官Alex Lidow说:「摩尔定律现正蜕变为预测全新的半导体材料的性能定律。EPC氮化镓(GaN)晶体管有机会替代硅器件。氮化镓材料是一种更好的电子导体,在性能及功效方面比硅更为优越。」氮化镓器件已经用于电源转换及无线通信等领域,它将有一天成为数字芯片。Lidow说:「60年以来首次出现采用优越材料的器件而不只是在更小尺寸方面发展。」

读过的文章
Network World
2015年4月17日

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分类: 技术文章

再见硅器件:为什么独特的器件设计是你的产品所使用的芯片的未来?

再见硅器件:为什么独特的器件设计是你的产品所使用的芯片的未来?

芯片的发展推动了一个又一个的技术大变革:个人电脑、互联网、智能手机、智能手表及即将推出的自动驾驶汽车。 宜普电源转换公司(EPC)是一间把它的将来押注在III-V氮化镓材料上的创始公司,其首席执行官Alex Lidow带领着一支34人的专业团队创建公司。该公司的业绩继续保持稳定增长,产品是采用III-V氮化镓(GaN)材料层的晶体管。 在2016或2017年,Lidow预计氮化镓器件的制造工艺可以包含计算机处理器内负责思考的逻辑电路。Lidow认为「与传统的硅器件相比,氮化镓器件所具备的电力特性使你立即可以取得1000倍改进产品性能的机会。」

读过的文章
CNET.com
2015年4月17日

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)推出的单片式氮化镓半桥功率晶体管推动负载点转换器在48 V转12 V、22 A输出电流下实现超过97%的系统效率

宜普电源转换公司(EPC)推出的单片式氮化镓半桥功率晶体管推动负载点转换器在48 V转12 V、22 A输出电流下实现超过97%的系统效率

采用全新100 V EPC2104 半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下,系统效率可超过97%;而在22 A、500 kHz开关频率下,系统效率则接近97%。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2104(100 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及所需的空隙,使晶体管的占板面积减少50%。这样可以提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司推出具有宽间距的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以小尺寸具备大电流承载能力

宜普电源转换公司推出具有宽间距的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以小尺寸具备大电流承载能力

全新氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2029)进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装,可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔,使得小尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)的元件可以具备大电流承载能力。

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分类: 新闻稿

Move over, silicon. Gallium nitride chips are taking over

Move over, silicon. Gallium nitride chips are taking over

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

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分类: 技术文章
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