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eGaN FETs for Class A RF Amplifiers

High frequency enhancement mode transistors, such as the EPC8000 series eGaN® FETs from EPC, have been widely available since September 2013 and enable simplified designs at RF frequencies. In this installment, we present the RF characteristics of the EPC8000 series devices and show their implementation in a pulsed class A amplifier. The amplifier is pulsed to allow operation within the thermal operating limits of the device, since RF device power dissipation is typically on the same order of magnitude as the RF power delivered, unlike switching devices, such as the EPC8000 series, ... 阅读全文
分类: 技术文章

制造氮化镓器件可利用硅器件的供应链

硅半导体技术的供应链已经投放超过千亿美元,使得它难以置信地极具效率。制造新兴的高性能氮化镓晶体管如何在这方面可与硅器件匹敌?答案很简单,我们利用硅器件的供应链来制造氮化镓器件,因此可大大降低氮化镓晶体管的制造成本。

Power Systems Design
作者:Alex Lidow
2014年 5月 27日

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司推出全新DrGaNPLUS 开发板-- 可Plug-and-Play、具97%效率的半桥转换器开发板

DrGaNPLUS EPC9202开发板内含100 V、具高频开关性能的氮化镓(eGaN®)功率晶体管,输出电流为10 A,该板的尺寸极细小并可提高电源转换效率 宜普电源转换公司推出 DrGaNPLUS 系列评估板,为功率系统工程师提供易于使用的工具以评估氮化镓晶体管的优越性能。这些板所实现的设计概念是把一个半桥电路所需的所有元件集成在单一个极细小、基于印刷电路板的模块,使得易于装贴,从而实现采用氮化镓晶体管的优越功率转换解决方案。 第一块 DrGaNPLUS EPC9202开发板为100 V、10 A 半桥功率转换器,工程师可以立即及易于使用,只需“plug and play”开发板便能评估高性能氮化镓晶体管,例如常见于通信应用的电源转换是当Vin 是48 V 及 Vout 是 12 V时,该板可实现97% 的峰值效率。 EPC9202开发板可以由单个PWM输入来驱动,内含两个氮化镓场效应晶体管(EPC2001)、德州仪器公司的LM5113驱动器及高频输入电容。 DrGaNPLUS 板的尺寸极细小,每边只是稍微大于9 mm,并可以直接装贴在印刷电路板上。我们特别设计它配备最优版图,从而把共源电感及高频功率换向环路电感的影响减至最低。 特点 优势 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

IEEE 功率电子协会(PELS)在线研讨会: 氮化镓晶体管-在无线电源传送应用击败硅器件

IEEE功率电子协会(PELS)将于6月4日举行在线研讨会,届时Alex Lidow及Michael de Rooij将讨论eGaN®功率晶体管如何提高无线电源传送系统的效率。 氮化镓晶体管设计及应用专家宜普电源转换公司(EPC)将于6月4日在美国东部夏令时间(EDT)早上10时30分至11时30分举行一小时在线研讨会,由IEEE学会的功率电子协会(PELS)赞助。 我们将于是次在线研讨会对采用不同拓扑、基于氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及MOSFET器件的高度谐振无线电源传送应用进行比较,包括E类及新颖的高效电压模式D类放大器拓扑,在性能方面比较它们的效率及对不同的负载及耦合线圈的灵敏度。基于相同的发射与接收线圈组合,以及器件使用相同的整流器,我们对每种拓扑进行实验性质的测试。实验性装置皆使用松散耦合线圈并工作在6.78 MHz频率(ISM 频段),可传送15 W 至30 W功率。 在线研讨会的讲者为宜普电源转换公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow及应用工程执行总监Michael de ... 阅读全文
分类: 新闻稿

EPC to Present Gallium Nitride (GaN) Technology for Envelope Tracking Power Supplies, High Efficiency Wireless Power Transfer and High Frequency Buck Converters at the 2014 PCIM Europe Conference

At PCIM Europe conference, EPC’s CEO and applications experts will demonstrate the superiority of GaN transistors compared to silicon power MOSFETs in a wide variety of applications. EL SEGUNDO, Calif. — May, 2014 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs will be presenting three application-focused technical presentations at PCIM Europe. The conference will be held in Nuremberg, Germany from May 20th through the 22th. Participants attending EPC sessions will learn about ... 阅读全文
分类: 新闻稿

在采用D类及E 类放大器的无线电源传送系统应用对增强型氮化镓晶体管的性能进行评估

在过去几年间,无线电源传送应用逐渐流行,尤其是替便携式装置充电的应用。宜普公司在本章讨论使用松散耦合线圈、高度谐振的无线电源解决方案,符合A4WP标准并适合工作在免执照、給工業、科學及醫療用电器设备(ISM)使用的6.78 MHz或13.56 MHz頻率。

杂志:Bodo’s Power Systems
作者:Alex Lidow博士及Michael De Rooij博士
2014年5月

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分类: 技术文章
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