新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

eGaN®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能,从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

阅读全文
分类: 新闻稿

氮化镓的发展趋势及应用

氮化镓的发展趋势及应用

全球消费者追求创新的电子产品并且希望产品可以更细小、更轻盈及更节能。氮化镓技术的发展可以满足这些需要之同时以非凡动力创新纪元,为工程师提供具备更快速开关、更细小、更节能及更低成本的新一代氮化镓元件。

全新的氮化镓材料为目前的解决方案注入新生命、使得摩尔定律复活、替代目前的硅元件并为业界开拓意想不到的全新应用,替日常生活打造及开辟全新领域。这些全新应用包括5G无线通信、无线电源传送、虚拟现实眼镜、全自动汽车及先进医疗技术如无线心脏泵。

Digitimes
2015年5月25日
阅读全文

阅读全文
分类: 技术文章
标签: 应用Trends

IDT与EPC公司携手合作结合氮化镓与硅技术以开发出更快速及高效的半导体器件

IDT与EPC公司携手合作结合氮化镓与硅技术以开发出更快速及高效的半导体器件

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT®) (美国纳斯达克上市代号: IDTI)宣布与宜普电源转换公司(EPC)合作开发基于氮化镓(GaN)技术的全新方案。氮化镓被公认为在速度及效率方面极具优势的一种半导体材料。这合作谋求探索结合两家公司的技术——EPC的eGaN®技术及IDT领先业界的解决方案。

阅读新闻稿全文

阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司扩大具有宽间距、以小尺寸实现大电流承载能力的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列

宜普电源转换公司扩大具有宽间距、以小尺寸实现大电流承载能力的氮化镓场效应晶体管(eGaN  FET)系列

宜普电源转换公司(EPC)推出采用高性能、宽间距的芯片规模封装的全新氮化镓(eGaN®)功率晶体管,进一步扩大其功率晶体管系列、易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。这些产品采用具有1 mm间距的焊球,进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔,使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)实现大电流承载能力。

阅读全文
分类: 新闻稿

Gallium Nitride Power Transistors Priced Cheaper Than Silicon

Gallium Nitride Power Transistors Priced Cheaper Than Silicon
Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.” IEEE Spectrum May 8, 2015 Read article 阅读全文
分类: 技术文章
RSS

新闻存档