新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

宜普电源转换公司(EPC)推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)、电源效率为96%的1MHz降压转换器演示板

EPC9107 演示板展示如何使用具备高开关频率的氮化镓功率晶体管以缩小尺寸及提高电源转换效率 宜普公司在二零一三年五月宣布推出全功能降压电源转换演示板(EPC9107)。该板展 示输入电压为9V至28V、当电源电压为3.3V时可提供15 A的电流的1 MHz降压转换器,内含EPC2015氮化镓场 效应晶体管,并配合德州仪器公司的100 V半桥栅极驱动器(LM5113)。当使用了这个专为驱动氮化镓晶体管而设的驱 动器,EPC9107 展示具有高开关频率的氮化镓场效应晶体可实现缩小尺寸及提高性能等优势。 EPC9107演示板的面积为3平方英寸,内含全闭环降压转换器,并具备经过优化的控制环路,而放置在仅半英寸x半英寸极紧凑的版图上的全功率级,包含了氮化镓 场效应晶体管、驱动器、电感及输入/输出电容,以展示使用氮化镓场效应晶体管并在配备驱动氮化镓器件的驱动器LM5113的条件下可实现的卓越性能。 演示板虽然细小,其最大电源效率超过96%,当电源电压为3.3V时可以提供15A的电流。为帮助设计工程师, 我们设计这个易于安装的演示板并具备多个探测点, 以便测量简单的波形和计算效率。 随EPC9107演示板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf, ... 阅读全文
分类: 新闻稿

无封装高电子迁移率晶体管可实现高效功率转换

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。

杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月

阅读全文
分类: 技术文章

宜普电源转换公司首席执行官在eeWeb.com为工程师撰写每月氮化镓技术专栏

Alex Lidow to author a monthly column in eeWeb.com entitled “How to GaN,” addressing a range of technical issues related to gallium nitride (GaN) technology including its application in power conversion and management. EL SEGUNDO, Calif.—June 2013— Efficient Power Conversion Corporation proudly announces that beginning in June, Alex Lidow, EPC co-founder and CEO, will author a monthly column on the online website eeWeb.com, a leading website for electrical engineers. The column, “How to GaN,” will begin with discussions on the basic principles of ... 阅读全文
分类: 新闻稿

氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第14章第1部分:氮化镓场效应晶体管的小信号射频性能

虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件,但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。

作者:宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller

阅读文章

阅读全文
分类: 技术文章
RSS

新闻存档